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DTC143XETL 发布时间 时间:2025/12/25 10:42:33 查看 阅读:11

DTC143XETL是一种由东芝(Toshiba)生产的表面贴装晶体管,属于双极结型晶体管(BJT)系列。该器件采用小型化封装,适用于高密度印刷电路板设计,广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中。DTC143XETL是一款P沟道的数字晶体管,内部集成了一个基极-发射极之间的电阻以及一个基极-集电极之间的反馈电阻,使其可以直接通过逻辑电平信号驱动而无需额外的偏置电路。这种集成电阻的设计简化了外围电路结构,提高了系统的可靠性,并减少了整体元件数量与PCB占用空间。
  DTC143XETL常用于开关应用,例如LED驱动、电源管理、继电器控制、信号切换等场景。其封装形式为SOT-23(SC-59),便于自动化贴片生产,适合大规模制造。由于其良好的电气特性与稳定性,该器件在工业控制、通信模块及家用电器中均有广泛应用。此外,该晶体管符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代绿色电子制造的需求。

参数

型号:DTC143XETL
  类型:P沟道数字晶体管
  集电极-发射极电压(VCE):-50V
  集电极-基极电压(VCB):-50V
  发射极-基极电压(VEB):-5V
  集电极电流(IC):-100mA
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  基极电阻(R1):2.2kΩ
  发射极电阻(R2):2.2kΩ
  增益(hFE):最小70(测试条件IC=1mA)
  封装形式:SOT-23(SC-59)
  极性:P-Ch
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

DTC143XETL的核心优势在于其内置双电阻结构,即在基极与发射极之间连接了一个2.2kΩ的电阻(R2),同时在基极输入端串联了一个2.2kΩ的限流电阻(R1)。这两个电阻共同作用,使得该器件能够直接接受来自微控制器或其他数字逻辑电路的输出信号进行驱动,而无需外接复杂的偏置网络。这一设计不仅显著降低了电路设计难度,还提升了系统整体的稳定性和抗干扰能力。当输入高电平时,基极电流被有效限制,防止晶体管过驱动;而在低电平状态下,R2确保发射结快速放电,加快关断速度,从而提高开关响应性能。
  该器件具有优良的开关特性,开启和关闭时间较短,适用于高频开关操作。典型条件下,其导通延迟时间和上升时间均处于纳秒级别,保证了快速响应能力。此外,由于采用了先进的半导体制造工艺,DTC143XETL具备较高的直流电流增益(hFE),即使在小信号输入下也能实现可靠的饱和导通状态,确保负载获得足够的驱动电流。温度稳定性良好,在宽温范围内参数漂移较小,适合各种恶劣环境下的长期运行。
  封装方面,SOT-23是目前最主流的小型化三引脚封装之一,具有良好的热传导性能和机械强度。其尺寸紧凑(约2.8mm × 1.6mm × 1.1mm),非常适合空间受限的应用场合。该封装也支持回流焊和波峰焊等多种贴片组装方式,兼容现代自动化生产线。DTC143XETL还具备一定的ESD保护能力,增强了在实际使用中的耐用性。综合来看,该器件以高度集成化、易于使用、高可靠性和成本效益著称,是中小功率开关应用的理想选择。

应用

DTC143XETL主要用于各类需要逻辑电平驱动的开关电路中。典型应用场景包括便携式电子设备中的LED背光或指示灯控制,利用其低功耗特性和快速响应能力,可实现高效的亮度调节与状态显示功能。在微处理器或FPGA的I/O扩展电路中,它可用于驱动继电器、蜂鸣器或小型电磁阀等负载,将弱电信号转换为较强的输出能力,实现对外部设备的有效控制。此外,在电源管理系统中,该晶体管可用作负载开关,控制某个子系统的供电通断,以达到节能目的。
  在通信模块如Wi-Fi、蓝牙或Zigbee模组中,DTC143XETL可用于射频前端的偏置控制或天线切换电路,提供稳定的开关行为。工业控制领域中,该器件常用于PLC输入/输出接口的信号调理部分,增强系统的抗噪能力和驱动能力。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能手表等对空间和功耗极为敏感,DTC143XETL凭借其小型封装和高效能表现成为理想选择。
  除此之外,该晶体管还可用于电池供电设备中的低功耗待机模式控制,通过主控芯片控制其导通与截止来管理外设电源,延长续航时间。在家用电器如电视、空调遥控器、照明控制系统中也有广泛应用。总体而言,凡是涉及低压、低电流、逻辑驱动的开关需求,DTC143XETL都能提供简洁可靠的解决方案。

替代型号

MMBT3904LT1G
  DTC143ZCA
  DTC124ECA
  DTC143YEB
  RN1402

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DTC143XETL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC143XETL-NDDTC143XETLTR