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DTC143EUBTL 发布时间 时间:2025/12/25 13:37:25 查看 阅读:20

DTC143EUBTL是一款由东芝(Toshiba)生产的表面贴装P沟道小型信号晶体管,常用于开关和放大电路中。该器件采用SOT-23(SC-59)超小型封装,适合高密度印刷电路板布局,广泛应用于便携式电子设备、电源管理模块、逻辑接口电路以及各类低功耗控制系统中。DTC143EUBTL属于数字晶体管(Digital Transistor)系列,其内部集成了一个基极串联电阻和一个下拉电阻,简化了外围电路设计,无需额外添加偏置电阻即可直接通过逻辑信号驱动。这种集成化设计不仅减少了元件数量,还提高了系统可靠性与生产效率。该晶体管的基极内置电阻通常为R1=4.7kΩ,发射极内置下拉电阻R2=47kΩ,使得其在数字开关应用中表现出优异的响应特性和噪声抑制能力。由于其具备良好的热稳定性和快速开关性能,DTC143EUBTL特别适用于电池供电设备中的LED驱动、继电器控制、MOSFET栅极驱动等场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对绿色环保的要求。

参数

类型:P沟道
  极性:PNP
  封装类型:SOT-23 (SC-59)
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大发射极-集电极电压(VECO):50V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大总耗散功率(PD):200mW
  结温(Tj):150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C 至 +150°C
  基极内阻R1:4.7kΩ
  发射极内阻R2:47kΩ
  直流电流增益hFE:典型值70(测试条件IC = -2mA, VCE = -5V)
  开启时间(ton):约0.5μs
  关闭时间(toff):约1.5μs

特性

DTC143EUBTL的显著特性在于其高度集成的内部电阻结构,使其成为理想的“单件式”开关解决方案。该器件内部集成的基极串联电阻R1(4.7kΩ)有效限制了输入电流,防止因过大的驱动电流损坏晶体管,同时也降低了对外部驱动源的负载要求。而发射极与基极之间的下拉电阻R2(47kΩ)则确保在输入信号悬空或未激活时,基极被可靠地拉低至地电位,避免误触发导致的意外导通,提升了电路工作的稳定性与抗干扰能力。
  该晶体管具有优良的开关响应速度,开启时间约为0.5微秒,关闭时间约为1.5微秒,在高频开关应用中表现良好,能够满足大多数数字控制系统的动态需求。同时,其最大集电极电流可达100mA,足以驱动小型继电器、指示灯LED或作为后续功率器件的预驱动级。
  DTC143EUBTL采用SOT-23封装,体积小巧,便于自动化贴片装配,适用于大规模生产环境。该封装还具备良好的散热性能,在正常工作条件下无需额外散热措施即可稳定运行。器件的工作结温可达150°C,适应宽泛的环境温度变化,增强了在恶劣工况下的可靠性。
  此外,DTC143EUBTL具有较低的饱和压降,典型值VCE(sat)在IC = -50mA、IB = -0.25mA时仅为-0.3V,意味着在导通状态下能量损耗小,有助于提高整体能效,尤其适合电池供电设备以延长续航时间。该器件还具备一定的反向击穿耐受能力,VCEO达50V,可在多种低压直流系统中安全使用。所有材料均符合RoHS指令要求,支持无卤素制造流程,符合当前绿色电子产品的设计趋势。

应用

DTC143EUBTL广泛应用于各类需要小型化、低功耗和高可靠性的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的LED背光驱动或状态指示灯控制,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。由于其内置偏置电阻,只需一个GPIO引脚即可直接驱动,极大简化了MCU与负载之间的接口电路设计。
  在工业控制领域,该器件可用于传感器信号调理、继电器或电磁阀的初级驱动、逻辑电平转换以及各类开关电源中的反馈回路控制。其稳定的电气特性和抗噪能力使其能够在电磁环境复杂的场合下保持正常工作。
  此外,DTC143EUBTL也常用于通信设备中的信号路由切换、音频电路中的静音控制、以及电池管理系统中的充放电通路控制。在汽车电子中,虽然不直接用于高温引擎舱,但在车厢内部的辅助电子模块如信息娱乐系统、车窗控制单元中也有应用实例。
  由于其封装尺寸小、功耗低、响应快,该晶体管非常适合用于空间受限且对成本敏感的设计中。无论是作为简单的开关元件还是与其他逻辑器件配合构成复合功能电路,DTC143EUBTL都能提供稳定可靠的性能支持。

替代型号

[
   "DTC143EU,TUMT6,BRT126,FDN340P,MUN5211"
  ]

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DTC143EUBTL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)4.7k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)