DTC143EUA是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
这款MOSFET适合在高频开关应用中使用,其出色的电气性能使其成为许多功率电子设计中的理想选择。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:14A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:29nC
开关时间:开启时间 15ns,关断时间 27ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
DTC143EUA具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 快速
4. 良好的热稳定性和可靠性,在高温环境下仍能保持优良性能。
5. 小型化封装,节省PCB空间。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
DTC143EUA广泛用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统(BMS)
5. 电信设备中的功率转换
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
7. 汽车电子中的负载开关和保护电路
DTC143EUB, DTC143EUC