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DTC123JMT2L 发布时间 时间:2025/12/25 10:16:37 查看 阅读:13

DTC123JMT2L是一款由ROHM Semiconductor生产的数字晶体管(Digital Transistor),集成了一个双极结型晶体管(BJT)和内置偏置电阻的表面贴装器件。该器件属于ROHM的EMR系列,专为简化电路设计和减小PCB空间而设计。其内部结构包含一个NPN型晶体管,并在基极与发射极之间集成一个下拉电阻,在基极串联一个限流电阻,从而无需外部偏置元件即可实现开关或逻辑电平转换功能。这种集成化设计不仅减少了外围元件数量,还提高了系统的可靠性与一致性。DTC123JMT2L采用SOT-23(SC-59)小型封装,非常适合用于便携式电子设备、消费类电子产品以及需要高密度布局的应用场景。由于其良好的电气性能和稳定的开关特性,该器件广泛应用于电源管理、LED驱动、信号切换、微控制器接口等场合。此外,该器件符合RoHS环保标准,并支持无铅焊接工艺,适用于现代绿色电子产品制造流程。

参数

类型:NPN数字晶体管
  极性:NPN
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):4V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(Pd):200mW
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  存储温度范围:-55℃ ~ +150℃
  偏置电阻:R1 = 10kΩ(基极串联电阻),R2 = 10kΩ(基极-发射极下拉电阻)
  增益(hFE):典型值70(测试条件IC=1mA)
  过渡频率(fT):250MHz
  封装形式:SOT-23(SC-59)

特性

DTC123JMT2L的最显著特性是其高度集成的偏置电阻网络,使得用户无需额外设计基极驱动电路即可实现稳定可靠的开关操作。
  该器件内部集成了两个10kΩ的电阻:一个连接在基极端子与内部晶体管基极之间(R1),用于限制输入电流;另一个连接在基极与发射极之间(R2),作为下拉电阻以确保在输入悬空时晶体管可靠关断,避免误触发。这种设计极大简化了电路板布局,降低了生产成本,并提升了整体系统稳定性。
  其NPN晶体管部分具备良好的直流电流增益(hFE)表现,典型值为70,在低电流条件下仍能保持较高的放大能力,适合用作小信号放大或开关应用。
  器件的最高集电极-发射极电压为50V,能够适应多种电源电压环境下的使用需求,包括常见的3.3V、5V乃至部分12V控制系统。
  最大集电极电流为100mA,足以驱动中等负载如继电器线圈、LED指示灯或逻辑门电路。
  高达250MHz的过渡频率使其在高频开关应用中也具备一定响应速度,适用于高速数字信号处理场景。
  SOT-23封装具有体积小、重量轻、热阻适中的优点,便于自动化贴片组装,广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备及物联网终端产品中。
  该器件的工作结温可达+150℃,具备较强的环境适应能力,可在恶劣温度条件下稳定运行。
  同时,器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准(部分批次),可用于车载电子系统中的传感器接口或执行器控制模块。

应用

DTC123JMT2L常用于各类需要简单开关控制的电子电路中,尤其适用于由微控制器GPIO直接驱动的场合。
  例如,在MCU输出端口与LED、蜂鸣器或小型继电器之间作为驱动级使用,利用其内置电阻省去外部限流与下拉元件,显著减少BOM成本和PCB面积。
  在电源管理单元中,它可用于使能信号控制、LDO使能引脚驱动或多路电源顺序控制电路。
  此外,该器件也可作为电平转换器使用,在不同电压域之间的数字信号接口中起到缓冲与整形作用。
  在通信接口电路中,如I2C总线的上拉驱动增强或UART信号切换,也能发挥其快速开关特性。
  由于其封装小巧且支持回流焊工艺,因此广泛应用于便携式消费电子产品,如蓝牙耳机、智能手环、无线路由器和智能家居控制面板。
  工业控制领域中,可用于PLC输入/输出模块的信号调理电路,或作为光耦输出侧的放大驱动元件。
  在汽车电子中,可用于车身控制模块(BCM)、车灯控制、空调面板按键检测等非动力系统应用,提供可靠的数字开关功能。
  总之,任何需要将逻辑电平转化为有效负载驱动能力的场景,都是DTC123JMT2L的理想应用领域。

替代型号

MMBT123J, DTC123JCA, DTC123JK, FMMT123J, KSH123J

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DTC123JMT2L产品

DTC123JMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTC123JMT2LTR