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DTC123JM 8K/R 发布时间 时间:2025/8/16 17:36:06 查看 阅读:6

DTC123JM 8K/R是一款由东芝(Toshiba)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管专为数字电路应用设计,内部集成了一对电阻器,分别连接在基极和发射极之间,以及基极和集电极之间,这种设计简化了外部电路并提高了电路的稳定性。DTC123JM 8K/R常用于开关电路、逻辑电平转换、缓冲器以及通用数字控制应用中。

参数

晶体管类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大基极电流(Ib):50mA
  功率耗散(Pd):300mW
  电流增益(hFE):典型值为70 @ Ic=2mA, Vce=5V
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23(SC-59)
  内置基极电阻:2.2kΩ(R1)和4.7kΩ(R2)

特性

DTC123JM 8K/R晶体管的一个显著特性是其内置的基极电阻网络,R1(2.2kΩ)和R2(4.7kΩ)的组合使得该器件非常适合用于数字逻辑电路中的开关控制。这种集成设计减少了外部元件数量,降低了电路复杂度,并提高了系统的可靠性和抗干扰能力。
  此外,该晶体管的电流增益(hFE)在典型工作条件下可达到70,适用于低功率开关应用。其SOT-23封装形式具有小型化、轻量化的特点,便于在高密度印刷电路板(PCB)上使用。DTC123JM 8K/R的额定工作电压为50V,具备较好的电压耐受能力,适用于多种中低电压控制系统。
  在热性能方面,该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,使其能够在广泛的环境条件下稳定运行。最大功耗为300mW,适合用于低功耗设计。此外,该器件符合RoHS环保标准,适用于现代电子设备对无铅和环保的要求。

应用

DTC123JM 8K/R晶体管广泛应用于数字电路中的开关控制场合。例如,在微控制器系统中,该器件可用于驱动LED、继电器、小型电机或其他外围设备,实现信号的放大或电平转换。其内置电阻结构特别适合用于将数字信号转换为适当的驱动电平,以控制高功率负载。
  该晶体管也常用于接口电路,如将CMOS或TTL电平转换为适合驱动其他电路的电平。在自动化控制系统中,DTC123JM 8K/R可用于构建简单的逻辑门电路或缓冲器,提高信号的传输效率和稳定性。
  此外,DTC123JM 8K/R还可用于电源管理电路中的低功耗开关应用,例如DC-DC转换器、负载开关或电流检测电路。由于其封装小巧、集成度高,也适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表等设备中的控制电路。

替代型号

DTC123YK/R, DTC114EKA, DTC124EKA, DTC143ZKA, DTC144TKA

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