时间：2025/5/21 13:17:52
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DTC115EUAT106 是一款基于硅基技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于高效率、高频率的电力电子应用。
TO-263-3（DPAK），具有良好的散热性能和电气稳定性，能够承受较高的电流和电压条件。其出色的动态性能和低开关损耗特性使其成为现代电子设备中的理想选择。
类型：N沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100 V
最大栅源电压（Vgs）：±20 V
持续漏极电流（Id）：48 A
导通电阻（Rds(on)）：3.5 mΩ（典型值，Vgs=10V时）
总栅极电荷（Qg）：79 nC
输入电容（Ciss）：2450 pF
输出电容（Coss）：120 pF
开关时间：ton=10 ns，toff=22 ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263-3（DPAK）
DTC115EUAT106 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有效降低导通损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关应用。
3. 良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
4. 高额定电流和电压能力，支持多种功率级需求。
5. 优化的栅极驱动特性，简化电路设计并提高可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
这些特性使 DTC115EUAT106 成为高性能电力电子设备的理想选择，例如适配器、充电器、DC-DC 转换器以及电机控制器等领域。
DTC115EUAT106 可用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 电池管理系统（BMS）
6. 太阳能逆变器
7. LED 驱动电路
8. 通信电源
由于其强大的电流承载能力和快速开关性能，该器件在需要高效功率转换和精确控制的应用中表现出色。
DTC114EUAH106, IRFZ44N, FDP17N10
