类型：NPN型晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　过渡频率（fT）：250MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　封装类型：SOT-23

DTC114YE 64 晶体管具有出色的高频响应能力，其过渡频率（fT）高达250MHz，适用于高频放大和信号处理电路。该晶体管采用了先进的硅外延平面技术，确保了器件在高频条件下的稳定性和可靠性。此外，该晶体管的电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的等级划分，其增益值可以在110至800之间，使得设计人员可以根据具体应用需求选择合适的晶体管。这种灵活性使其在多级放大器设计中表现出色，能够有效提升整体电路的增益和线性度。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，适合用于高密度PCB设计，同时具备良好的热稳定性和机械强度。DTC114YE 64 的额定集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为100mA，能够在中等功率条件下稳定工作。此外，其最大功耗为300mW，适合用于便携式设备和低功耗系统。
　　该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的环境适应性，能够在极端温度条件下正常运行，适用于工业级和汽车电子应用。其高可靠性和稳定的性能使其成为许多高频电子设备的理想选择。

DTC114YE 64 广泛应用于高频电子电路中，如射频放大器、振荡器、混频器、调制解调器以及各类通信设备中的信号处理模块。该晶体管也可用于音频放大器前置级、传感器信号放大、以及低噪声放大器（LNA）设计。此外，由于其良好的温度稳定性和可靠性，DTC114YE 64 也常被用于汽车电子系统、工业控制设备以及消费类电子产品中的模拟和射频电路部分。

2N3904, BC547, 2SC3355