类型：NPN型晶体管
　　封装形式：SOT-416 (SC-75)
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：200 mW
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据档位不同）
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　频率响应（fT）：100 MHz
　　内置基极电阻（R1）：4.7 kΩ
　　内置发射极电阻（R2）：10 kΩ

DTC114TE 04 晶体管具有多项优异的电气特性和设计优势。首先，其内置的基极和发射极电阻使其在应用中无需外接偏置电阻，从而简化了电路设计，减少了PCB板的空间占用和元件数量，提高了整体电路的可靠性。其次，该晶体管的最大集电极电流为100 mA，能够满足多数低功率开关和信号放大需求。
　　此外，DTC114TE 04 的最大集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50 V，具有较强的电压承受能力，适用于多种中高压应用场合。其最大功耗为200 mW，在SOT-416封装中具有良好的热性能表现。
　　该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从110到800不等，具体数值取决于生产批次和规格档位，用户可根据实际需求选择合适的增益等级。同时，其频率响应（fT）达到100 MHz，支持在高频应用中使用，例如射频信号处理或高速开关电路。
　　DTC114TE 04 的工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车电子系统等对可靠性要求较高的应用场景。

DTC114TE 04 晶体管广泛应用于多个电子领域。在数字电路中，它常用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，其内置电阻设计使其特别适合直接与微控制器或逻辑门电路连接，实现高效的开关控制。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，该晶体管可用于电源管理、信号切换等功能模块，以减少元件数量并提高集成度。
　　在工业自动化系统中，DTC114TE 04 可用于传感器信号放大、继电器驱动、逻辑控制电路等场景。其较高的电压和温度耐受能力，使其能够在工业环境的恶劣条件下稳定工作。此外，在汽车电子系统中，该晶体管可用于车身控制模块（BCM）、车载娱乐系统、灯光控制系统等应用，满足汽车电子对高可靠性和长寿命的要求。
　　由于其100 MHz的频率响应能力，DTC114TE 04 也可用于一些中高频的射频电路、信号放大器或数据通信模块中，适用于无线通信、物联网设备等新兴技术领域。

DTC114EKA, DTC124EKA, 2SC2712, 2SC4116