时间：2025/5/23 9:44:28
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DTC113ZCA是一款高性能的功率MOSFET芯片，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件采用先进的半导体制造工艺，能够提供较低的导通电阻和快速的开关速度，广泛应用于各种电源管理和功率转换场景。其封装形式通常为TO-252或SOT-23等小型化封装，适合高密度电路设计。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.2A
导通电阻：75mΩ
栅极电荷：8nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55℃至150℃
DTC113ZCA具有低导通电阻的特点，可显著降低功率损耗，提高整体效率。同时，它具备快速开关性能，适用于高频应用场合。此外，该器件拥有良好的热稳定性和可靠性，在极端环境条件下仍能保持正常工作。
该MOSFET还具有较高的抗静电能力（ESD），能够有效防止因静电引起的损坏。在设计中使用时，可以通过简单的外围电路实现对负载的精准控制。
DTC113ZCA主要应用于开关电源、直流电机驱动、LED驱动器、电池管理系统以及消费类电子设备中的功率控制模块。其小型化的封装形式使其非常适合便携式设备和其他空间受限的设计方案。
此外，这款MOSFET也常用于多通道电源管理单元和工业自动化设备中的信号切换与保护功能。
DTC114ZCA, IRF740, FDP18N06L
