类型：N沟道MOSFET
　　连续漏极电流（ID）：500mA（最大）
　　漏源击穿电压（V(BR)DSS）：12V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：0.45V ~ 0.8V
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω（@ VGS = 1.5V）
　　最大栅源电压（VGS）：±8V
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SC-70（SOT-769）
　　引脚数：3
　　极性：增强型

DTC023YUB具有出色的低电压驱动能力，其栅源阈值电压典型值仅为0.65V，这意味着它可以在1.8V甚至更低的逻辑电平下可靠开启，非常适合用于由微控制器或低压逻辑电路直接控制的开关应用。这一特性显著降低了对外部驱动电路的需求，从而减少了整体方案尺寸和成本。该器件在VGS = 1.5V时的漏源导通电阻仅为0.23Ω，确保了在小电流负载下的高效导通，减小了功率损耗和发热，提升了系统的能效表现。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。
　　DTC023YUB采用了先进的沟槽型MOSFET工艺技术，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力，同时有效抑制了寄生参数的影响。这种结构设计不仅提升了器件的开关速度，还增强了其抗噪声干扰的能力。在高频开关操作中，该MOSFET表现出较短的上升时间和下降时间，能够实现快速响应，适用于需要频繁启停的应用场合，例如LED背光控制、音频信号切换或电源路径管理。
　　该器件的小型SC-70封装（SOT-769）仅占约2mm × 1.25mm的PCB空间，非常适合高集成度的便携式产品设计。尽管封装微小，但其热性能经过优化，能够在有限的散热条件下稳定工作。此外，DTC023YUB具备良好的ESD防护能力，提高了在生产装配和实际使用中的可靠性。其绝对最大额定值定义清晰，包括对瞬态过压、过流和热应力的容忍范围，便于工程师进行安全裕量设计。综合来看，DTC023YUB是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的高性能N沟道MOSFET，广泛应用于现代低功耗电子系统中。

DTC023YUB广泛应用于各类低电压、低功耗的电子设备中，尤其适合需要小型化和高效率的便携式产品。常见应用包括移动设备中的电源开关和负载切换电路，例如智能手机和平板电脑中的LCD背光驱动、摄像头模块供电控制以及传感器电源管理。在这些场景中，该MOSFET作为高端或低端开关使用，通过微控制器输出信号精确控制电源通断，实现节能待机或按需供电功能。
　　此外，DTC023YUB也常用于DC-DC转换器的同步整流或预稳压级，特别是在1.8V、2.5V或3.3V供电轨中作为低侧开关，配合电感和二极管构成降压拓扑，提升转换效率。由于其低导通电阻和快速响应特性，能够有效减少能量损耗，提高电源系统的整体效能。
　　在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电路径的选择与保护，防止反向电流流动或短路故障。同时，它也可作为信号通路的模拟开关，用于音频、数据线路或多路复用器中的信号切换，因其低导通阻抗可最小化信号衰减。
　　其他应用场景还包括可穿戴设备、物联网终端节点、无线耳机、智能卡、医疗监测仪器等对空间和功耗极为敏感的产品。凭借其小型封装、低驱动电压和高可靠性，DTC023YUB成为众多设计师在构建紧凑型电源管理解决方案时的优选器件。

DMG2302UK-7
　　FDMS7680
　　ZXM61N03F
　　FDC638P