DTC023JEBTL 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装工艺,具有卓越的导通电阻和开关性能,广泛适用于开关电源、DC-DC转换器以及无线充电等应用领域。
其主要特点是低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,从而实现更高的系统效率和功率密度。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:23A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:60nC
输入电容:1800pF
工作温度范围:-55℃ to 175℃
DTC023JEBTL 拥有非常低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,尤其是在大电流应用场景中表现出色。
它具备快速的开关特性,可有效减少开关损耗,同时支持高频操作,有助于减小无源元件尺寸并提高功率密度。
该器件还采用了优化的散热设计,能够在高负载条件下保持较低的工作温度,进一步提升可靠性和使用寿命。
此外,DTC023JEBTL 具备强大的短路耐受能力,并且易于驱动,适合与多种控制芯片搭配使用。
DTC023JEBTL 广泛应用于高效率的电源管理系统,例如数据中心服务器电源、通信设备电源模块、消费类快充适配器、电动汽车车载充电器以及工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
由于其高频特性和低损耗优势,该器件特别适合需要小型化、轻量化设计的便携式电子设备和高性能计算硬件的供电解决方案。
在无线充电领域,DTC023JEBTL 可作为功率级的核心元件,提供高效稳定的能量传输。
DTC028JEBTL
DTC023NEBTL