时间：2025/5/7 16:17:20
阅读：22
DTC023JEBTL 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用设计。该器件采用先进的封装工艺，具有卓越的导通电阻和开关性能，广泛适用于开关电源、DC-DC转换器以及无线充电等应用领域。
其主要特点是低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，从而实现更高的系统效率和功率密度。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：23A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：60nC
输入电容：1800pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
DTC023JEBTL 拥有非常低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗，尤其是在大电流应用场景中表现出色。
它具备快速的开关特性，可有效减少开关损耗，同时支持高频操作，有助于减小无源元件尺寸并提高功率密度。
该器件还采用了优化的散热设计，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，进一步提升可靠性和使用寿命。
此外，DTC023JEBTL 具备强大的短路耐受能力，并且易于驱动，适合与多种控制芯片搭配使用。
DTC023JEBTL 广泛应用于高效率的电源管理系统，例如数据中心服务器电源、通信设备电源模块、消费类快充适配器、电动汽车车载充电器以及工业自动化设备中的 DC-DC 转换器。
由于其高频特性和低损耗优势，该器件特别适合需要小型化、轻量化设计的便携式电子设备和高性能计算硬件的供电解决方案。
在无线充电领域，DTC023JEBTL 可作为功率级的核心元件，提供高效稳定的能量传输。
DTC028JEBTL
DTC023NEBTL
