类型：双NPN晶体管阵列
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50 V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：70 V
　　发射极-基极电压（Vebo）：6 V
　　集电极电流（Ic）：100 mA
　　功率耗散（Pc）：150 mW
　　直流电流增益（hFE）：32 ~ 320
　　过渡频率（fT）：250 MHz
　　工作结温（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (SOT-769B)
　　通道数：2
　　极性：NPN
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿度敏感等级（MSL）：1级
　　反向漏电流（Icbo）：50 nA @ Vcb = 50 V
　　饱和压降（Vce(sat)）：150 mV @ Ic = 10 mA, Ib = 0.5 mA
　　增益带宽积（GBW）：250 MHz

DTC014TEBTL晶体管阵列具备多项优异的电气与物理特性，使其在现代电子系统中具有广泛适用性。首先，其双NPN结构允许在同一封装内集成两个独立工作的晶体管，显著节省PCB布局空间并简化电路设计复杂度。每个晶体管均能在最高50V的集电极-发射极电压下安全工作，具备足够的电压裕量以应对瞬态过压情况，适用于多种低压电源系统中的开关与信号调理任务。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围为32至320，表现出良好的线性放大能力，尤其适合小信号放大应用，如音频前置放大或传感器信号调理。同时，高达250MHz的过渡频率使其在高频开关操作中表现优异，可用于高速数字信号切换或脉冲调制电路中，确保快速响应和低延迟传输。此外，其低饱和压降（典型值150mV）意味着在导通状态下功耗极低，有助于提升整体系统能效，减少发热问题，特别适合电池供电设备。
　　DTC014TEBTL采用S-Mini（SOT-769B）超小型封装，尺寸仅为约1.6mm × 1.6mm × 0.55mm，非常适合高密度组装和自动化贴片生产。该封装具有优良的散热性能和机械强度，能够承受回流焊工艺而不影响内部芯片完整性。器件符合RoHS指令和无卤素要求，支持绿色制造流程。更重要的是，该产品通过了AEC-Q101车规级可靠性测试，包括高温反偏、温度循环、高压蒸煮等多项严苛试验，证明其可在恶劣环境条件下长期稳定运行，适用于汽车信息娱乐系统、车身控制模块等车载电子应用。
　　由于其高集成度与一致性，DTC014TEBTL在批量使用时可有效降低元件差异带来的性能波动，提高产品良率。内置的匹配晶体管还可在差分放大器或推挽输出结构中发挥优势，减少外围补偿电路的需求。总体而言，DTC014TEBTL是一款高性能、高可靠性的双晶体管阵列解决方案，兼顾小型化、高效能与环境适应性，是现代电子设计中理想的通用型有源器件选择。

DTC014TEBTL广泛应用于多个电子领域，涵盖消费类电子产品、工业控制系统、通信设备以及汽车电子系统。在便携式设备中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，它常被用于LED背光驱动、按键扫描矩阵的开关控制以及低功耗逻辑电平转换电路，利用其小尺寸和低功耗特性满足紧凑型设计需求。
　　在工业自动化领域，该器件可用于PLC输入/输出接口模块中的信号隔离与驱动，实现微控制器与执行机构之间的电气耦合。其稳定的增益特性和良好的温度适应性确保在宽温环境下仍能保持一致性能。此外，在传感器信号调理电路中，DTC014TEBTL可用于构建前置放大器或缓冲级，增强微弱模拟信号的传输能力。
　　在通信系统中，该晶体管阵列可用于高速数据线路的开关切换或阻抗匹配网络，凭借其250MHz的过渡频率支持中频信号处理任务。在路由器、交换机等网络设备中，可用于状态指示灯控制或多路信号选择逻辑。
　　在汽车电子方面，得益于其通过AEC-Q101认证，DTC014TEBTL可用于车身控制模块（BCM）、车内照明驱动、HVAC系统风扇控制以及仪表盘显示驱动等非动力总成相关应用。其耐高温能力和抗振动特性使其能够在发动机舱外的严苛环境中可靠运行。
　　此外，该器件也适用于各类嵌入式控制系统，如智能家居设备、安防监控终端和医疗电子仪器，作为通用型开关或放大元件，提供稳定可靠的电路功能支持。

DTC014TUBTL
　　DTC015TEBTL
　　DTC114EUBTL
　　DTC124YEBTL
　　FMMT217