DTB113ZK 时间：2025/12/25 10:39:21 阅读：11

DTB113ZK是一款由东芝（Toshiba）生产的表面贴装型双极结型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件采用小型S-Mini封装（也称为SC-70或SOT-323封装），具有非常紧凑的尺寸，适用于空间受限的便携式电子设备。DTB113ZK被设计为一个通用开关和放大应用中的晶体管，特别适合在低电压、低电流条件下工作的电路中使用。该晶体管内部集成了两个电阻器：一个连接在基极和发射极之间（R1），另一个串联在基极输入端（R2）。这种内置偏置电阻的结构使其成为一个“数字晶体管”或“偏置电阻内置晶体管”（BRT, Bias Resistor Transistor），极大简化了外围电路设计，减少了PCB上的元件数量，提高了系统可靠性并降低了整体成本。由于其集成电阻的特性，DTB113ZK可以直接由逻辑信号驱动，无需额外的限流或下拉电阻，因此广泛应用于各类逻辑接口、驱动电路以及小型信号控制场合。

参数

类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：4V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：82 to 120
　　工作温度范围：-55°C to +150°C
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：0.25V（典型值，IC = 5mA, IB = 0.5mA）
　　基极-发射极饱和电压（VBE(sat)）：0.7V（典型值，IC = 5mA, IB = 0.5mA）
　　内置电阻R1（基极-发射极电阻）：47kΩ
　　内置电阻R2（基极串联电阻）：47kΩ

特性

DTB113ZK的核心优势在于其内置的双偏置电阻网络，这一设计显著简化了传统晶体管外围电路的需求。其中，R1（47kΩ）连接于基极与发射极之间，作为下拉电阻，确保当输入信号悬空或为高阻态时，晶体管能够可靠地保持在关闭状态，防止因噪声干扰导致的误导通。R2（47kΩ）则串联在基极引脚上，用于限制流入基极的电流，避免过大的驱动电流损坏晶体管，同时也使得该器件可以直接受到3.3V或5V逻辑电平的控制而无需外加限流电阻。
　　该晶体管采用先进的半导体工艺制造，具备良好的热稳定性和电气一致性，在宽温度范围内（-55°C至+150°C）仍能保持稳定的性能表现。其最大集电极电流可达100mA，足以驱动小型继电器、LED指示灯、蜂鸣器或其他低功耗负载。同时，较低的集电极-发射极饱和电压（典型值0.25V）意味着在导通状态下功耗较小，有助于提高系统的能效表现。
　　S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约为2mm × 1.25mm × 0.95mm），还具备良好的散热性能和焊接可靠性，非常适合自动化贴片生产流程。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对环境友好性的要求。
　　由于其高集成度和易用性，DTB113ZK常被用于替代传统的分立晶体管加电阻组合方案，从而节省PCB布局空间、降低物料清单（BOM）复杂度，并提升产品的一致性与良率。

应用

DTB113ZK广泛应用于各种消费类电子产品和工业控制设备中，尤其是在需要小型化和高集成度设计的场景下表现出色。典型应用包括微控制器输出端口的电平转换与驱动电路，例如用于驱动LED显示屏的段选或位选信号，利用其内置电阻可直接从MCU GPIO引脚接收信号并有效控制电流输出。
　　在电源管理电路中，该晶体管可用于实现简单的开关功能，如控制DC-DC转换器的使能引脚、电池供电路径切换或负载开关控制。由于其响应速度快且驱动能力强，也能胜任高频开关任务。
　　在通信模块中，DTB113ZK可用于信号隔离与缓冲，例如在UART、I2C等总线扩展电路中作为电平匹配元件使用。它还可用于音频信号的小信号放大或开关控制，比如在便携式音频设备中控制扬声器静音功能。
　　其他常见应用场景还包括传感器信号调理电路中的开关元件、打印机和扫描仪中的步进电机驱动接口、家用电器的按键去抖电路以及各类嵌入式系统的逻辑电平转换器。凭借其高可靠性和紧凑封装，DTB113ZK已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。