DTA144EUAT106是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频开关电源、适配器以及快速充电器等应用设计。该芯片将驱动电路和保护功能集成到单一封装中,从而显著减小了整体解决方案的尺寸并提升了系统效率。
这款芯片采用先进的封装工艺,能够提供出色的热性能,并且其内置的保护机制包括过流保护、短路保护和过温关断等功能,确保在各种工况下的稳定运行。
型号:DTA144EUAT106
类型:GaN 功率晶体管
工作电压:20V 至 650V
持续电流:106A
导通电阻:8mΩ(典型值)
栅极电荷:70nC(最大值)
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
DTA144EUAT106具有非常低的导通电阻,这使其在高功率密度的应用场景下表现优异。同时,它具备快速开关能力,可以支持高达数兆赫兹的工作频率,大幅减少磁性元件的体积和重量。
此外,该芯片内部集成了多种保护功能,例如过流保护、过压保护和过温保护等,极大地增强了系统的可靠性。
由于采用了增强型氮化镓材料,与传统的硅基MOSFET相比,DTA144EUAT106在动态损耗和静态损耗方面都有显著降低,从而提升了整个系统的能效比。
其封装设计优化了散热路径,即使在高负载条件下也能维持较低的结温。
DTA144EUAT106广泛应用于消费电子、工业设备及汽车领域中的高效率功率转换场合。典型应用场景包括:
- 快速充电器
- 笔记本电脑和手机适配器
- 开关模式电源(SMPS)
- 无线充电发射端
- 电动工具中的电机驱动电路
- 太阳能微型逆变器
- 数据中心服务器电源模块
由于其卓越的性能,这款芯片非常适合需要紧凑设计、高效能和高可靠性的电力电子系统。
DTA144EUAT120
IRF1404
FDP15N65S
STP10NK65NM