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DTA144EUAT106 发布时间 时间:2025/5/12 14:02:26 查看 阅读:7

DTA144EUAT106是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率转换芯片,专为高频开关电源、适配器以及快速充电器等应用设计。该芯片将驱动电路和保护功能集成到单一封装中,从而显著减小了整体解决方案的尺寸并提升了系统效率。
  这款芯片采用先进的封装工艺,能够提供出色的热性能,并且其内置的保护机制包括过流保护、短路保护和过温关断等功能,确保在各种工况下的稳定运行。

参数

型号:DTA144EUAT106
  类型:GaN 功率晶体管
  工作电压:20V 至 650V
  持续电流:106A
  导通电阻:8mΩ(典型值)
  栅极电荷:70nC(最大值)
  封装形式:TO-247-3
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

DTA144EUAT106具有非常低的导通电阻,这使其在高功率密度的应用场景下表现优异。同时,它具备快速开关能力,可以支持高达数兆赫兹的工作频率,大幅减少磁性元件的体积和重量。
  此外,该芯片内部集成了多种保护功能,例如过流保护、过压保护和过温保护等,极大地增强了系统的可靠性。
  由于采用了增强型氮化镓材料,与传统的硅基MOSFET相比,DTA144EUAT106在动态损耗和静态损耗方面都有显著降低,从而提升了整个系统的能效比。
  其封装设计优化了散热路径,即使在高负载条件下也能维持较低的结温。

应用

DTA144EUAT106广泛应用于消费电子、工业设备及汽车领域中的高效率功率转换场合。典型应用场景包括:
  - 快速充电器
  - 笔记本电脑和手机适配器
  - 开关模式电源(SMPS)
  - 无线充电发射端
  - 电动工具中的电机驱动电路
  - 太阳能微型逆变器
  - 数据中心服务器电源模块
  由于其卓越的性能,这款芯片非常适合需要紧凑设计、高效能和高可靠性的电力电子系统。

替代型号

DTA144EUAT120
  IRF1404
  FDP15N65S
  STP10NK65NM

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DTA144EUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)47k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA144EUAT106-NDDTA144EUAT106TR