DTA144EM是一款高压、高功率的双N沟道MOSFET功率晶体管,专为要求严格的应用场景设计,例如开关电源、电机驱动器和音频放大器等。该器件采用TO-264封装形式,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够有效提升系统的效率并减少热量产生。此外,其优异的热性能和电气特性使其成为工业及消费电子领域中的理想选择。
这款MOSFET采用了先进的半导体制造工艺,在保证高性能的同时还兼顾了可靠性与稳定性,适合在高频开关条件下工作。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:14A
导通电阻:1.7Ω
栅极电荷:35nC
总功耗:250W
结温范围:-55℃至+150℃
DTA144EM具备以下显著特性:
1. 高耐压能力(600V),适用于高压应用环境。
2. 低导通电阻(1.7Ω),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,提高整体效率。
4. TO-264封装提供卓越的散热性能,适合高功率应用场景。
5. 优异的雪崩能力和鲁棒性,确保在极端条件下的可靠运行。
6. 热插拔保护功能增强,适应更复杂的电路需求。
这些特点使得DTA144EM成为需要高效能量转换和高可靠性的系统的理想选择。
DTA144EM广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 直流/直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 工业自动化设备
5. 音频功率放大器
6. 太阳能逆变器
7. LED驱动器
由于其高耐压特性和大电流处理能力,该器件特别适合用于对功率密度和效率有较高要求的场景。
DTA144E, IRF840, STP14NK60Z