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DTA123EUAT106 发布时间 时间:2025/5/15 17:02:08 查看 阅读:8

DTA123EUAT106是一种高压MOSFET功率晶体管,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。其设计特点在于高击穿电压和低导通电阻,能够满足高效能功率转换的需求。
  该晶体管具有优异的热稳定性和可靠性,适用于要求严格的工作环境。此外,它还支持快速开关操作,有助于减少开关损耗并提高整体效率。

参数

型号:DTA123EUAT106
  封装:TO-220
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):12A
  脉冲漏极电流(Ip):36A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  总功耗(Ptot):150W
  工作温度范围(Tj):-55℃至+175℃
  存储温度范围(Tstg):-55℃至+150℃

特性

DTA123EUAT106具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压(650V),确保在高压环境下稳定运行。
  2. 低导通电阻(0.18Ω),降低传导损耗,提高效率。
  3. 支持快速开关操作,适合高频应用。
  4. 良好的热稳定性,可承受高温工作环境。
  5. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  6. TO-220封装便于散热管理,简化电路设计。

应用

DTA123EUAT106广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)。
  2. DC-DC转换器。
  3. 电机驱动和控制。
  4. 工业逆变器。
  5. 充电器和适配器。
  6. 照明驱动电路,例如LED照明。
  7. 各类需要高压功率开关的应用场景。

替代型号

DTA123EUAH106
  IRF840
  STP12NK60Z
  FDP18N65C
  IXYS IXTH12N65L

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DTA123EUAT106产品

DTA123EUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA123EUAT106-NDDTA123EUAT106TR