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DTA115EM3T5G 发布时间 时间:2023/2/27 10:43:41 查看 阅读:209

    制造商: ON Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Single

   

目录

概述

    制造商: ON Semiconductor

    产品种类: 数字晶体管

    配置: Single

    晶体管极性: PNP

    典型输入电阻器: 100 KOhm

    典型电阻器比率: 1

    封装 / 箱体: SOT-723-3

    直流电流增益 hFE 最小值: 80 @ 5 mA @ 10 V

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 50 V

    集电极连续电流: 0.1 A

    峰值直流集电极电流: 100 mA

    功率耗散: 260 mW

    最大工作温度: + 150 C

    封装: Reel

    最小工作温度: - 55 C

    安装风格: SMD/SMT


资料

厂商
ON Semiconductor

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DTA115EM3T5G参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 300µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大260mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装SOT-723
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA115EM3T5G-NDDTA115EM3T5GOSTR