时间：2025/5/7 17:18:38
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DTA114YM是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，适用于多种开关和功率管理应用。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点。广泛应用于直流电机驱动、电源管理模块、负载开关以及其他需要高效功率转换的应用场景。
该型号属于东芝（Toshiba）公司的产品线，专为工业和消费电子领域设计，能够提供出色的效率和可靠性表现。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：4.3A
最大脉冲漏极电流：8.6A
导通电阻：90mΩ
栅极电荷：7nC
总功耗：1.1W
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻确保了高效的功率传输，并减少热量积累。
2. 高速开关性能使其适合高频应用环境。
3. 小型化的TO-252封装有助于节省PCB板空间。
4. 内置雪崩击穿保护功能，提高了器件在异常条件下的耐用性。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
DTA114YM主要应用于以下领域：
1. 直流无刷电机驱动电路中的功率控制。
2. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器的功率级元件。
3. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护。
4. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
5. LED驱动电路和其他低功率系统中的开关元件。
DTA114YK, DTM114YK, IRFZ44N, FQP17N06
