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DTA114TUAT106 发布时间 时间:2025/12/25 12:59:36 查看 阅读:18

DTA114TUAT106是一款由ROHM Semiconductor生产的数字晶体管(Digital Transistor),集成了一个双极结型晶体管(BJT)和内置的偏置电阻网络。该器件属于ROHM的DTC/DTA系列,专为简化电路设计、减少外部元件数量而设计。DTA114TUAT106中的晶体管类型为PNP型,适用于低功耗开关和信号放大应用。其内部结构包含一个基极串联电阻(R1)和一个基极-发射极之间的下拉电阻(R2),这使得它在数字逻辑接口中具有优异的稳定性和响应特性。由于其小型化封装和高集成度,该器件广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制领域。
  该器件采用SOT-723(SC-89)超小型表面贴装封装,适合高密度PCB布局。工作温度范围通常为-55°C至+150°C,确保在各种环境条件下可靠运行。DTA114TUAT106的设计使其可以直接连接微控制器或逻辑IC输出引脚,无需额外的限流或偏置电阻,从而降低了整体系统成本并提高了可靠性。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗静电能力(ESD保护),增强了在实际应用中的鲁棒性。

参数

晶体管类型:PNP
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(Ptot):150mW
  直流电流增益(hFE):68 - 270 @ IC = -2mA, VCE = -5V
  基极-发射极电阻(R1):47kΩ
  基极-发射极下拉电阻(R2):47kΩ
  过渡频率(fT):250MHz
  工作结温(Tj):150°C
  封装/外壳:SOT-723 (SC-89)
  安装类型:表面贴装
  通道数:1
  每芯片元件数:1
  湿敏等级(MSL):1(无限制)
  反向漏电流(ICEO):500nA @ VCE = 50V
  开启时间(ton):约35ns
  关闭时间(toff):约65ns

特性

DTA114TUAT106的最显著特性是其高度集成的偏置电阻网络,使该器件能够在不使用外部电阻的情况下实现稳定的开关操作。其内部的两个47kΩ电阻分别用于限制基极电流(R1)和确保在输入信号悬空时晶体管可靠截止(R2),从而有效防止误触发。这种设计不仅节省了PCB空间,还减少了组装工序和潜在的焊接缺陷。由于采用了先进的芯片制造工艺,该器件具有非常一致的电气特性,批次间差异小,适合大规模自动化生产。
  该数字晶体管在开关性能方面表现出色,具备快速的开启与关闭时间(ton约35ns,toff约65ns),使其适用于高频脉冲信号处理和高速逻辑电平转换场景。其较高的过渡频率(fT=250MHz)也表明它在小信号放大应用中具备一定带宽优势。尽管主要用于开关模式,但在某些低频模拟应用中也可作为缓冲器或电平移位器使用。
  热性能方面,SOT-723封装虽然体积小巧,但通过优化的引线框架设计实现了良好的散热路径,可在150mW的功率耗散下长期稳定工作。同时,该器件的工作结温高达150°C,满足汽车级和工业级应用的严苛要求。ROHM对产品进行了严格的可靠性测试,包括高温反向偏压(HTRB)、温度循环和高压蒸煮试验(PCT),以确保其在恶劣环境下的长期稳定性。
  此外,DTA114TUAT106具备良好的电磁兼容性(EMC)表现,集成的下拉电阻有助于抑制噪声干扰,提升系统的抗扰度。其符合AEC-Q101车规认证的部分版本(如DTA114T系列)可用于车载电子系统,例如LED照明控制、传感器接口和继电器驱动等。总体而言,该器件以其高集成度、稳定性和可靠性,在现代电子设计中扮演着关键角色。

应用

DTA114TUAT106广泛应用于各类需要紧凑设计和高效开关功能的电子系统中。常见用途包括便携式设备中的LED背光驱动或状态指示灯控制,利用其内置电阻可直接由MCU GPIO驱动,无需额外元件。在消费类电子产品如智能手机、平板电脑、无线耳机和智能家居控制器中,该器件常被用于电源管理模块中的负载开关或信号路由选择。
  在工业控制系统中,它可用于PLC输入/输出接口、传感器信号调理电路以及小型继电器或固态继电器的驱动级。由于其良好的温度适应性和稳定性,也可部署于环境条件复杂的现场设备中。在通信设备中,该器件可用于RS-232电平转换、I2C总线缓冲或SPI信号开关,提高信号完整性。
  汽车电子领域也是其重要应用方向之一,适用于车身控制模块(BCM)、车内照明控制、门锁驱动和雨刷电机控制等非动力总成系统。此外,在电池供电设备中,其低静态功耗和高可靠性使其成为理想的开关元件。由于支持自动贴片安装,非常适合SMT生产线的大规模制造,提升了生产效率和一致性。

替代型号

MMBT3906DW1T1G
  DTC114EUA
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DTA114TUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114TUAT106-NDDTA114TUAT106TR