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DTA114EUAT106 发布时间 时间:2025/5/7 13:39:15 查看 阅读:9

DTA114EUAT106 是一款基于 MOSFET 技术的高可靠性功率器件,主要用于开关电源、电机驱动和工业控制等领域。该芯片采用先进的封装工艺,具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能。其设计能够有效降低功耗并提高系统效率,适用于多种高压大电流应用场景。

参数

型号:DTA114EUAT106
  类型:MOSFET
  最大漏源电压(Vds):650V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):0.18Ω
  总功耗(Ptot):130W
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  封装形式:TO-247-3

特性

DTA114EUAT106 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:支持高达 650V 的漏源电压,能够在复杂电路环境中稳定运行。
  2. 超低导通电阻:仅 0.18Ω 的 Rds(on),大幅减少导通损耗,提高整体效率。
  3. 快速开关性能:具备低输入电容和优化的栅极驱动设计,确保高速开关操作的同时减少开关损耗。
  4. 热稳定性强:采用 TO-247-3 封装,散热性能优越,适合长时间高温运行。
  5. 可靠性高:经过严格的质量测试,满足工业级应用需求,使用寿命长。

应用

该元器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,提升电源转换效率。
  2. 电机驱动:用于直流无刷电机、步进电机等驱动电路中,提供高效驱动能力。
  3. 工业自动化:在变频器、逆变器等工业设备中用作功率开关元件。
  4. 汽车电子:如车载充电器、DC-DC 转换器中的功率管理模块。
  5. 太阳能逆变器:用于光伏系统中的功率调节和能量转换部分。

替代型号

IRFP460, FQA14N65C

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DTA114EUAT106参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装UMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114EUAT106TR