类型：NPN数字晶体管
　　集电极-发射极电压(VCEO)：50V
　　发射极-基极电压(VEBO)：5V
　　集电极电流(IC)：100mA
　　总功耗(PD)：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　基极-输入电阻(R1)：10kΩ
　　基极-发射极电阻(R2)：10kΩ
　　电流增益(hFE)：典型值70~200 (测试条件IC=2mA, VCE=5V)
　　饱和电压(VCE(sat))：最大值0.3V (IC=10mA, IB=0.3mA)

DTA114的最主要特性之一是其高度集成化的结构设计，将一个NPN晶体管与两个精密电阻集成于单一芯片中，显著简化了外围电路的设计流程。其中，串联在输入端与基极之间的电阻R1通常为10kΩ，用于限制流入基极的电流，防止因过大的驱动电流导致晶体管损坏；而连接在基极与发射极之间的下拉电阻R2也为10kΩ，其作用是在输入信号悬空或未激活时确保基极处于低电平状态，避免误触发现象的发生，从而提升电路工作的稳定性与抗干扰能力。这种内置电阻配置使得DTA114可以直接由微控制器GPIO引脚或其他逻辑门电路直接驱动，无需外接偏置电阻网络，节省PCB空间并降低物料成本。
　　该器件具备优良的开关特性，能够实现快速的导通与关断响应，适用于高频脉冲信号处理及数字逻辑控制应用。在饱和状态下，其集电极-发射极饱和电压VCE(sat)极低，典型值小于0.3V，这意味着在导通时功耗非常小，有助于提高系统能效并减少发热问题。同时，DTA114支持最高100mA的连续集电极电流输出，足以驱动大多数中小功率负载如LED指示灯、小型继电器线圈或蜂鸣器等设备。
　　得益于采用先进的半导体制造工艺，DTA114拥有良好的温度稳定性和长期工作可靠性。其最大额定结温可达+150°C，可在恶劣环境下持续运行而不发生性能退化。此外，该器件的hFE（直流电流增益）分布在70至200之间，保证了批次间的一致性，便于批量生产中的质量控制。所有材料均符合无铅焊接要求，并通过AEC-Q101等车规级可靠性认证的部分型号可选，使其不仅适用于消费电子，也可拓展至汽车电子领域。

DTA114广泛应用于各类需要简单且可靠的开关控制功能的电子系统中。最常见的用途之一是作为微控制器输出端的缓冲/驱动级，用于增强GPIO引脚的驱动能力以控制外部负载。例如，在嵌入式系统中，单片机I/O口常因驱动电流不足而无法直接点亮LED或驱动继电器，此时可利用DTA114作为中间开关元件，实现低压逻辑信号对较高电压或电流负载的有效控制。此外，由于其内置电阻已设定合适的偏置条件，工程师无需重新计算外部电阻值，极大简化了设计流程。
　　在消费类电子产品中，DTA114常用于电源管理模块中的使能控制、LCD背光调光电路、按键去抖动电路以及音频信号路径切换等场景。其小型化封装非常适合空间受限的便携设备，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑等。在工业自动化领域，该器件可用于PLC输入/输出扩展模块、传感器信号调理电路以及继电器驱动单元中，提供稳定的信号隔离与电平转换功能。
　　另外，DTA114还可用于构建简单的逻辑门电路（如反相器）、电平移位器或脉冲整形电路，尤其适合替代传统分立式晶体管加电阻组合方案。在汽车电子系统中，部分符合更高可靠性标准的版本可用于车身控制模块（BCM）、车灯控制单元或空调面板按键检测电路中。总之，任何需要将数字信号转换为开关动作的场合，DTA114都是一种经济高效且易于使用的解决方案。

MMBTAT114E
　　KSH114YT1G
　　DTC114EE3