类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极电流：100mA
　　最大集电极-发射极电压：50V
　　最大基极电流：20mA
　　最大耗散功率：300mW
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）
　　噪声系数：1dB（典型值）
　　封装形式：SOT-23

DTA113ZVATV6晶体管具有多项优异的电气特性，适用于高频放大和低噪声应用场景。其增益带宽积高达100MHz，能够满足射频和中间频率放大器对高频响应的需求。此外，该晶体管的噪声系数较低，典型值为1dB，使其非常适合用于需要低噪声性能的信号放大电路。电流增益（hFE）的范围为110至800，根据不同的等级划分，能够提供较高的灵活性，适用于多种电路设计需求。
　　该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，能够在中等功率条件下稳定工作。同时，其最大耗散功率为300mW，适用于小型化电路设计。封装形式为SOT-23，这是一种广泛使用的表面贴装封装，便于自动化生产和电路集成。
　　DTA113ZVATV6的温度范围通常为-55°C至+150°C，能够在恶劣的工作环境中保持稳定性能。这使得它在工业级和汽车电子应用中也具有良好的适应性。

DTA113ZVATV6晶体管广泛应用于射频和中间频率放大器电路，特别是在无线通信设备中，如Wi-Fi模块、蓝牙模块和射频接收器。其低噪声特性和高频性能使其成为前置放大器和信号增强器的理想选择。此外，该晶体管还可用于振荡器电路，提供稳定的高频信号输出。
　　在音频放大器设计中，DTA113ZVATV6也可以作为前置放大器使用，提供高增益和低噪声的音频信号放大。在便携式电子产品中，如智能手机和无线耳机，该晶体管可以用于射频信号的接收和处理，提高设备的通信质量和稳定性。
　　由于其小型化的SOT-23封装，DTA113ZVATV6也适用于高密度电路板设计，帮助实现紧凑型电子产品的开发。

2N3904, BC547, 2SC2222A