晶体管类型：PNP双晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23-6

DTA113ZLT1G具有优异的匹配性能，两个晶体管之间的参数差异非常小，非常适合需要高精度对称性的应用。其SOT-23-6封装形式体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用。该器件的高频响应和快速开关特性，使其适用于高速数字电路和射频模拟电路中的信号处理。此外，DTA113ZLT1G具有较高的可靠性，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　在电气特性方面，每个晶体管的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）在典型工作条件下非常低，这有助于降低功耗并提高效率。其高电流增益（hFE）特性使得在放大电路中能够提供稳定的增益性能。此外，器件内部的热耦合设计有助于在高负载条件下保持热稳定性，从而延长使用寿命并提高系统可靠性。
　　DTA113ZLT1G的封装符合RoHS环保标准，适用于无铅工艺的制造流程。该器件广泛应用于便携式电子设备、通信模块、汽车电子系统以及各种嵌入式控制系统中。

DTA113ZLT1G主要应用于需要双晶体管匹配的电路设计中，如差分放大器、推挽输出级、射频信号放大器、逻辑电平转换电路、电源管理模块等。其高集成度和小体积特性也使其成为便携式设备和高密度电路板设计的理想选择。在汽车电子系统中，DTA113ZLT1G可用于传感器信号调理、驱动控制电路以及车载通信模块的设计。此外，该器件还广泛用于工业自动化控制系统、消费类电子产品以及各种嵌入式系统的模拟和数字电路部分。

DTA114ZLT1G, DTA114WLT1G