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DTA043EUBTL 发布时间 时间:2025/4/28 16:37:03 查看 阅读:2

DTA043EUBTL 是一款高效的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
  DTA043EUBTL 适合用于高频开关应用场合,其封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和电气特性。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:4.8A
  导通电阻:45mΩ
  栅极电荷:10nC
  反向恢复时间:7ns
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
  3. 小型化封装,便于 PCB 布局优化。
  4. 具备较高的雪崩击穿能量承受能力,增强了器件的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
  6. 内置保护机制,能够在异常情况下提供一定的安全保障。

应用

1. 开关电源中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器的核心元件。
  3. 电机驱动中的功率控制。
  4. 各类负载开关应用。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
  7. 消费电子产品的电源管理模块。

替代型号

IRLZ44N
  FDP5501
  AON6212

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DTA043EUBTL参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥2.38000剪切带(CT)3,000 : ¥0.42641卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)20 @ 5mA,10V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)-
  • 频率 - 跃迁250 MHz
  • 功率 - 最大值200 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-85
  • 供应商器件封装UMT3F