DTA043EUBTL 是一款高效的 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),主要应用于开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提升系统的效率和性能。
DTA043EUBTL 适合用于高频开关应用场合,其封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:4.8A
导通电阻:45mΩ
栅极电荷:10nC
反向恢复时间:7ns
工作结温范围:-55℃ 至 150℃
1. 极低的导通电阻,可减少导通损耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,适用于高频电路设计。
3. 小型化封装,便于 PCB 布局优化。
4. 具备较高的雪崩击穿能量承受能力,增强了器件的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
6. 内置保护机制,能够在异常情况下提供一定的安全保障。
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC 转换器的核心元件。
3. 电机驱动中的功率控制。
4. 各类负载开关应用。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输。
7. 消费电子产品的电源管理模块。
IRLZ44N
FDP5501
AON6212