容量：160 Mbit（20 MB）
　　组织结构：2 x 80 Mbit 阵列
　　电压范围：2.7 V 至 3.6 V
　　访问时间：95 ns
　　封装类型：56-pin TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：通用异步接口（类似SRAM）
　　编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　写保护功能：硬件WP#引脚支持
　　总线宽度：x16 或 x8 可配置

DT28F160F3B95采用Intel专有的第二代StrataFlash技术，结合了NOR闪存的快速随机访问能力和多级单元（MLC）的高存储密度优势。这种架构允许每个存储单元存储多个比特的信息，从而实现比传统单级单元（SLC）更高的存储效率，同时保持相对较高的读取性能。该芯片具备出色的读取速度，典型访问时间为95纳秒，适合直接从闪存执行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，广泛应用于路由器、交换机和其他通信设备中。
　　该器件具有高度可靠的写入和擦除机制，支持超过10万次的编程/擦除周期，确保在频繁更新固件或配置数据的系统中长期稳定运行。其内置的智能算法可自动进行坏块管理和磨损均衡，延长整体使用寿命。此外，芯片集成了强大的错误检测与纠正电路（ECC），能够在读取过程中识别并修正多位错误，保障关键数据的完整性与安全性。
　　为了增强系统稳定性，DT28F160F3B95提供硬件写保护功能，通过WP#引脚防止在电源不稳定或系统异常期间发生误写操作。它还支持扇区级别的锁定机制，允许用户对特定区域进行保护，例如保留引导代码区域不被修改。该芯片的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的部署。
　　在功耗管理方面，该器件具备多种节能模式，包括自动休眠和深度掉电模式，在非活动状态下大幅降低电流消耗，有助于提升便携式或电池供电系统的能效表现。其异步SRAM-like接口简化了与现有处理器系统的集成过程，无需复杂的驱动程序即可完成初始化和基本操作。总体而言，DT28F160F3B95是一款兼顾性能、可靠性与成本效益的嵌入式闪存解决方案。

DT28F160F3B95主要用于需要大容量、高速度且高可靠性的嵌入式非易失性存储系统中。典型应用场景包括网络通信设备，如路由器、交换机和基站控制器，其中常用于存储操作系统映像、配置文件及调试日志等关键信息。由于其支持直接从闪存执行代码的能力，特别适合用作嵌入式处理器的启动代码存储器（Boot Flash），保证系统上电后能够迅速加载并运行初始程序。
　　在工业自动化领域，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端以及远程I/O模块中，用于保存用户程序、工艺参数和设备校准数据。这些应用通常要求长时间断电后仍能准确恢复状态，而DT28F160F3B95的数据保持能力可达10年以上，满足此类需求。
　　此外，该器件也适用于医疗设备、测试仪器和军事电子系统等对数据完整性和环境适应性有严格要求的场合。其宽温工作范围和抗干扰设计使其能在极端温度、振动或电磁噪声环境中稳定运行。在消费类高端设备中，如数字视频录像机（DVR）或智能网关中，也可作为固件存储介质使用。
　　由于其支持扇区保护和ECC校验，DT28F160F3B95还可用于安全敏感型应用，例如金融终端或加密模块，防止未经授权的篡改或数据损坏。总的来说，该芯片凭借其综合性能优势，在需要持久化存储且对可靠性要求较高的嵌入式系统中发挥着重要作用。

JS28F160P3B95
　　LF28F160J3A95
　　MT28F160B3B95