容量：160 Mbit（20 MB）
　　组织结构：2048块 × 512字节/块
　　电压范围：2.7 V 至 3.6 V
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP-56
　　访问时间：120 ns
　　编程/擦除耐久性：10万次
　　数据保持时间：10年
　　接口类型：并行异步接口
　　总线宽度：8/16位可配置

DT28F160F3B120具备多项先进的闪存技术特性，使其在嵌入式系统中表现出色。首先，该芯片采用了Intel的StrataFlash技术，允许每个存储单元存储多个比特信息，从而实现更高的存储密度和更低的每比特成本。这种多层单元技术在保证性能的同时，显著提升了存储效率，适用于对成本敏感但又需要较大存储容量的应用场景。
　　其次，该器件支持页模式读取操作，能够以较快的速度连续读取多个字节或字，提高了数据吞吐率。同时，内置的内部状态机可自动管理复杂的编程和擦除操作，减轻主控制器的负担，提升系统整体响应速度。芯片还支持硬件复位功能，在上电或异常情况下可快速恢复至已知状态，增强系统可靠性。
　　为了提高数据安全性与系统稳定性，DT28F160F3B120集成了错误检测与纠正（ECC）机制，能够在读取过程中识别并修正一定范围内的位错误，防止因存储介质老化或外部干扰导致的数据损坏。此外，该芯片支持区块锁定（Block Locking）功能，允许用户将特定区域设置为只读，防止关键代码或配置数据被意外修改，特别适用于固件存储等安全要求较高的场合。
　　在功耗管理方面，该器件提供了多种节能模式，包括自动休眠、待机和深度掉电模式，可根据系统运行状态动态调整功耗水平，延长电池供电设备的工作时间。其宽电压工作范围（2.7V~3.6V）也增强了在不同电源条件下的适应能力。最后，该芯片符合工业级环境标准，具备出色的抗振动、抗电磁干扰能力和长期稳定性，适合部署在恶劣工业环境中。

DT28F160F3B120广泛应用于各类需要非易失性大容量存储的嵌入式系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中存储操作系统映像、配置文件和日志数据，其快速读取能力和高可靠性确保了网络设备的稳定启动与运行。在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端和远程I/O模块中，保存控制程序、工艺参数和设备校准信息，即使在断电后也能长期保留关键数据。
　　此外，在医疗设备如便携式监护仪、超声成像系统中，DT28F160F3B120可用于存储设备固件和患者数据模板，其低功耗特性和宽温工作能力满足医疗设备对安全性和可靠性的严格要求。在消费类电子产品中，如高端POS机、智能仪表和车载信息终端，该芯片也发挥着重要作用，提供稳定的本地存储支持。
　　由于其具备16位/8位可配置总线接口，DT28F160F3B120能够兼容多种微处理器和微控制器架构，包括ARM、PowerPC和ColdFire系列，便于系统设计人员进行灵活选型与升级。配合Intel提供的软件工具包和参考设计，开发者可以快速实现引导加载程序（Bootloader）、文件系统移植和现场固件更新（FOTA）功能，大大缩短产品开发周期。

JS28F160P3B-120
　　MT28F160S3B-120
　　S29GL128P