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DSTF30120C 发布时间 时间:2025/12/26 23:53:43 查看 阅读:20

DSTF30120C是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用双共阴极配置,专为高效率、高频开关应用设计。该器件基于平面技术制造,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适合在紧凑型电源转换系统中使用。其封装形式为SOT-523(也称SC-89),是一种小型化三引脚塑料封装,适用于空间受限的便携式电子设备。DSTF30120C广泛应用于DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器电路以及信号整流等场景。由于其优异的热稳定性和可靠性,该器件能够在较宽的温度范围内稳定工作,满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。此外,该器件符合RoHS环保标准,并具备无卤素(Halogen-free)特性,支持绿色环保生产流程。

参数

产品类型:肖特基二极管
  配置:双共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):20V
  最大直流阻断电压(VR):20V
  最大均方根电压(VRMS):14V
  最大正向平均电流(IF(AV)):300mA
  峰值正向浪涌电流(IFSM):1.2A
  最大正向电压(VF):450mV @ 150mA
  最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 15V
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装/外壳:SOT-523 (SC-89)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

DSTF30120C的核心优势在于其低正向导通压降与快速开关响应能力的结合,这使其在低电压、高效率电源系统中表现出色。该器件采用先进的平面工艺制造,确保了良好的电气性能一致性与长期稳定性。其正向电压典型值仅为450mV,在150mA电流下即可实现高效导通,显著降低了功率损耗,提升了整体能效。这对于电池供电设备尤为重要,例如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的DC-DC升压或降压电路,能够有效延长续航时间。
  该器件的反向恢复时间极短,接近于理想开关行为,几乎不存在反向恢复电荷(Qrr),因此在高频开关环境下不会产生额外的开关损耗或电磁干扰(EMI)。这一特性使得DSTF30120C非常适合用于高达数百kHz甚至MHz级别的开关电源拓扑结构中,如同步整流电路、电压倍增器和高频逆变器。同时,由于没有PN结存储电荷效应,肖特基结构天然避免了传统PN二极管在关断时的反向恢复尖峰电流问题,提高了系统的可靠性和安全性。
  封装方面,SOT-523是目前最小的三引脚表面贴装封装之一,占用PCB面积极小,有利于实现高密度布局。尽管体积小巧,但该封装仍具备足够的热传导能力,配合合理的设计可在额定条件下长期运行。器件通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),表明其具备一定的汽车级可靠性基础,可用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块。此外,产品符合JEDEC标准的潮湿敏感等级1(MSL-1),意味着在拆封后无需特殊处理即可进行回流焊,简化了生产工艺流程。

应用

DSTF30120C主要应用于需要小型化、高效率整流功能的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的DC-DC转换器,用于实现电池电压到处理器核心电压的高效转换;在同步整流架构中作为辅助整流元件,提升电源效率;在太阳能充电控制器或USB电源路径管理中用于防止反向电流流动;还可用于信号解调、电压钳位和ESD保护电路中,提供快速响应和低损耗的解决方案。此外,该器件适用于各类低功率AC-DC适配器、LED驱动电源及工业传感器供电模块,在这些场合中发挥其高频响应和节能优势。由于其稳定的温度特性和可靠的封装工艺,也常见于环境条件较为复杂的工业控制设备和通信模块中。

替代型号

BAS40-04W, PMEG2005EH, RB520S-40, MMBD914, SS12

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DSTF30120C参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格20,000 : ¥10.39653管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 二极管配置1 对共阴极
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)120 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管)15A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)970 mV @ 15 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏800 μA @ 120 V
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片
  • 供应商器件封装ITO-220AB