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DST860S 发布时间 时间:2025/12/26 23:02:03 查看 阅读:18

DST860S是一款由Diodes Incorporated生产的高效率、电流模式脉宽调制(PWM)直流-直流降压转换器芯片,主要用于将较高的输入电压稳定地转换为较低的输出电压,适用于多种便携式电子设备和嵌入式系统中的电源管理。该器件集成了高压侧功率MOSFET,能够支持宽输入电压范围,适用于单节或多节锂电池供电的应用场景,也可用于12V或5V系统总线电源的降压转换。DST860S采用小型封装设计,节省电路板空间,适合对体积敏感的应用场合。其工作频率可通过外部电阻编程设置,便于优化电磁干扰(EMI)性能与转换效率之间的平衡。此外,该芯片具备完善的保护机制,包括过流保护、过温保护和输出短路保护,提升了系统的可靠性与稳定性。

参数

类型:同步降压DC-DC转换器
  输入电压范围:4.5V 至 24V
  输出电压范围:0.8V 至 18V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:200kHz 至 1MHz(可通过外部电阻调节)
  工作效率:高达95%
  控制模式:电流模式PWM控制
  集成MOSFET:内置高端N沟道MOSFET(典型导通电阻75mΩ)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(TJ)
  封装形式:SO-8EP 或类似小型表面贴装封装
  静态电流:典型值为2.5mA(无负载)
  关断电流:低于1μA
  反馈参考电压:0.8V ±1.5%
  保护功能:过流保护(OCP)、过温保护(OTP)、输出短路保护(SCP)

特性

DST860S具备优异的动态响应能力和稳定的输出电压调节性能,得益于其采用的峰值电流模式控制架构,能够实时监测电感电流并快速响应负载变化,从而在负载突变时保持输出电压的稳定。该芯片内置的高压侧MOSFET减少了外围元件数量,简化了设计复杂度,并提高了整体功率密度。其宽输入电压范围使其兼容多种电源输入配置,例如工业控制系统中的12V/24V直流母线,以及电池供电设备中电压波动较大的应用场景。
  该器件支持可调节开关频率设置,用户可通过外接电阻在200kHz至1MHz范围内设定工作频率,这不仅有助于避免噪声敏感频段,还能根据应用需求优化电感尺寸与转换效率。高频操作允许使用更小的外部电感和电容,进一步缩小整体电源方案的体积。DST860S还具备内部软启动功能,可防止启动时产生过大的浪涌电流,保护输入电源和负载电路。
  保护机制方面,芯片集成了逐周期电流限制功能,可在输出过载或短路时有效限制峰值电流,防止器件损坏。当结温超过安全阈值时,热关断电路会自动切断输出,待温度下降后恢复运行,实现自动重启模式。此外,其低静态电流设计有利于延长电池供电设备的工作时间,在轻载或待机状态下显著提升能效。DST860S还具有良好的线路和负载调整率,确保在整个工作条件下输出电压精度维持在±2%以内。

应用

DST860S广泛应用于需要高效、紧凑型电源解决方案的各类电子系统中。常见用途包括工业自动化设备中的分布式电源系统、网络通信模块的板级供电、家用电器的控制板电源、便携式医疗设备、消费类电子产品如智能音箱和安防摄像头等。由于其支持高达24V的输入电压,特别适合连接12V或24V工业直流电源总线的嵌入式控制器或传感器节点供电。
  在电池供电应用中,DST860S可用于多节锂电池组(如3S或4S)向核心处理器、FPGA、ASIC或微控制器提供稳定的3.3V或5V电源。其高效率转换特性减少了热量积累,无需额外散热措施即可在密闭环境中长期运行。此外,该芯片也适用于LED驱动电源、POS终端设备和汽车电子附件(非直接车载动力系统)等领域,为各种低压数字和模拟电路提供可靠电源。
  由于其具备良好的EMI可控性,通过合理布局和频率调节,DST860S也可用于对电磁兼容性要求较高的医疗或测量仪器中,满足严格的认证标准。其小型封装和较少的外围元件需求使其成为替代传统线性稳压器的理想选择,尤其在输入输出压差较大、发热严重的场景下优势明显。

替代型号

MP2315

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DST860S参数

  • 现有数量15,704现货
  • 价格1 : ¥7.23000剪切带(CT)5,000 : ¥2.93142卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)60 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)610 mV @ 8 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏600 μA @ 60 V
  • 不同?Vr、F 时电容502pF @ 5V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳TO-277,3-PowerDFN
  • 供应商器件封装TO-277B
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C