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DST847BPDP6-7 发布时间 时间:2023/2/22 16:27:05 查看 阅读:262

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是

   


目录

概述

    制造商:DiodesInc.

    产品种类:双极小信号

    RoHS:是

    配置:Dual

    晶体管极性:NPN

    安装风格:SMD/SMT

    封装/箱体:SOT-963

    集电极—发射极最大电压VCEO:45V

    发射极-基极电压VEBO:6V

    集电极连续电流:100mA

    功率耗散:250mW

    最大工作温度:+150C

    封装:Reel

    DCCollector/BaseGainhfeMin:300


资料

厂商
Diodes Incorporated

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DST847BPDP6-7参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO45 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO6 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min300
  • 配置Dual
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体SOT-963
  • 封装Reel
  • 集电极连续电流100 mA
  • 功率耗散250 mW