类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：850mV（在1A条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：100μA（在100V、25°C条件下）
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOD-123FL
　　引脚数：2

DST10100S-A的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构通过金属-半导体结取代传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF），通常在1A电流下仅为850mV左右。这一低VF特性直接减少了导通状态下的功率损耗，提高了电源转换效率，特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用。此外，由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子的存储效应，因此具备极快的开关速度和极短的反向恢复时间（trr典型值为5ns）。这使得DST10100S-A在高频开关电源中表现优异，可有效减少开关瞬态过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），同时避免了传统快恢复二极管在高频下因反向恢复电荷积累而导致的效率下降问题。
　　DST10100S-A的SOD-123FL封装不仅体积小巧，有助于节省PCB空间，还优化了引线电感和热阻性能，提升了高频工作的稳定性。该封装具有较低的热阻（RθJA），有利于将工作时产生的热量快速传导至PCB，从而维持较低的结温，增强长期运行的可靠性。器件在-55°C至+125°C的宽结温范围内均可稳定工作，适应严苛的环境条件。此外，其高达30A的峰值浪涌电流能力使其能够承受瞬时过流冲击，如电源启动时的浪涌电流，增强了系统的鲁棒性。所有材料均符合RoHS指令，并且不含卤素，满足绿色电子产品的环保要求。生产过程中遵循AEC-Q101等可靠性标准，确保器件在各类工业与消费类应用中具备出色的耐用性和一致性。

DST10100S-A因其优异的电气性能和紧凑封装，广泛应用于多种电力电子电路中。在DC-DC转换器中，常被用作同步整流的辅助二极管或用于防止反向电流流动，提升转换效率。在开关模式电源（SMPS）中，它可用于输出整流级，特别是在低压大电流输出场景下，其低正向压降特性有助于减少发热并提高整体效率。该器件也常见于逆变器、适配器和LED驱动电源中，作为续流二极管使用，在电感负载断开时提供电流回路，保护主开关器件免受电压尖峰损害。在便携式电子产品如智能手机、平板电脑和移动电源中，DST10100S-A可用于电池充放电管理电路中的防反接和能量回馈路径。此外，在电机驱动、继电器驱动和电磁阀控制等感性负载应用中，该二极管可作为箝位或自由轮二极管，抑制关断瞬间产生的反电动势，保护晶体管或MOSFET。由于其高频响应能力强，也可用于射频检测电路或信号解调场合。工业控制系统、通信模块和嵌入式电源模块同样大量采用此类高性能肖特基二极管以实现高效、可靠的电源管理功能。

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　　 "DSK14-0026A",
　　 "MBRS1100T3G",
　　 "SMS100T1G",
　　 "RB168L-40TR",
　　 "SK110ALT3G"
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