DSS5240Y-7 时间：2025/12/26 9:23:54 阅读：15

DSS5240Y-7是一款由Diodes Incorporated生产的双N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-363（SC-88）小型封装。该器件专为高密度、低电压和便携式应用设计，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等优点。由于其紧凑的封装和优异的电气性能，DSS5240Y-7广泛应用于电池供电设备、电源管理模块、负载开关、信号切换以及便携式消费类电子产品中。该MOSFET支持逻辑电平驱动，能够在较低的栅极电压下实现充分导通，适合与现代低电压数字控制器（如MCU、FPGA等）直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，其双通道结构允许在单个封装内集成两个独立的开关功能，有助于节省PCB空间并简化电路布局。DSS5240Y-7符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于对环境要求较高的工业和消费类应用场景。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　封装/包：SOT-363 (SC-88)
　　工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：600mA（每通道）
　　脉冲漏极电流（IDM）：2.4A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值 95mΩ @ VGS = 4.5V；最大值 120mΩ @ VGS = 2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值 1.1V，范围 0.7V ~ 1.4V
　　输入电容（Ciss）：典型值 27pF @ VDS = 10V
　　功率耗散（Pd）：500mW
　　通道数：2
　　极性：N-Channel

特性

DSS5240Y-7的核心优势在于其超低导通电阻与微小封装尺寸的结合，使其在空间受限的应用中表现出色。每个通道的最大导通电阻仅为95mΩ（在VGS=4.5V时），这意味着在传导电流时产生的功率损耗极低，从而提高了系统效率并减少了发热问题。这种低RDS(on)特性特别适用于电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑中的电源路径控制或负载开关应用。此外，该器件在VGS=2.5V时仍能保持低于120mΩ的导通电阻，说明其具备良好的逻辑电平兼容性，能够直接由3.3V或更低电压的数字IC驱动，无需额外的栅极驱动器。
　　该MOSFET采用先进的沟槽型工艺制造，优化了载流子迁移率和沟道电阻，从而实现了高性能与小型化的平衡。其SOT-363封装仅有六个引脚，占用PCB面积非常小，非常适合高密度贴装设计。同时，该封装具有良好的散热性能，在适当的PCB布局下可有效将热量传导至地平面，提升整体可靠性。双通道独立控制的设计也增强了电路灵活性，可用于双路电源切换、LED背光控制或多路信号选通等功能。
　　DSS5240Y-7还具备出色的开关速度，输入电容典型值仅为27pF，使得其在高频开关应用中响应迅速，减少开关损耗。这一特性使其适用于DC-DC转换器中的同步整流、电机驱动或热插拔控制等场景。此外，其阈值电压较低且一致性好，确保了器件在不同工作条件下都能稳定开启。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子外围应用。整体而言，DSS5240Y-7是一款集高效、小型化、高可靠性于一体的双N沟道MOSFET，是现代便携式电子系统的理想选择。