DSI35-14A 时间：2025/8/6 2:27:30 阅读：37

DSI35-14A是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的高效能、高可靠性的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优良的热性能，适用于多种电源管理应用。DSI35-14A属于N沟道MOSFET，封装形式为TO-220，适用于需要高效率和高功率密度的场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：35A
　　最大漏源电压：100V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω
　　栅极电荷：68nC
　　最大功耗：150W
　　工作温度范围：-55°C至175°C

特性

DSI35-14A具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的高电流容量（35A）和耐压能力（100V）使其能够应对高功率应用的需求。DSI35-14A采用TO-220封装，具有良好的散热性能，确保在高负载条件下稳定运行。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗并提高响应速度。DSI35-14A还具有出色的热稳定性和可靠性，适用于长时间运行的工业和汽车应用。
　　该MOSFET的结构设计优化了电场分布，从而降低了开关过程中的电磁干扰（EMI）和电压尖峰问题。其高耐压能力使其在高压电源转换系统中表现出色，同时具备较强的抗过载和短路能力。DSI35-14A的栅极驱动电压范围较宽，通常支持10V至20V之间的驱动电压，使其兼容多种驱动电路设计。

应用

DSI35-14A广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电动车和混合动力车中，该器件可用于电池管理和电动机控制电路。此外，DSI35-14A也适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路等高功率应用场合。其高可靠性和优良的热性能使其在恶劣环境中仍能保持稳定运行。