DSHP08TSGET 时间：2025/12/27 14:50:54 阅读：9

DSHP08TSGET是一款由Diodes Incorporated生产的高性能、低电压、双通道高速功率开关芯片，专为需要精确电源管理与负载切换的应用而设计。该器件集成了两个独立的N沟道MOSFET驱动通道，内置了电荷泵电路以确保在低输入电压条件下仍能完全导通内部的功率MOSFET，从而实现极低的导通电阻（RDS(on)），提高整体效率并减少发热。DSHP08TSGET采用先进的封装技术，在小型化的同时保证良好的热性能和电气隔离能力，适用于便携式设备和高密度电路板布局。
　　该芯片具备多种保护功能，包括过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及输出短路保护，能够在异常工作条件下自动关闭输出，防止损坏后端负载或电源系统。此外，它还支持软启动功能，通过控制输出电压的上升斜率来抑制上电过程中的浪涌电流，避免对输入电源造成冲击。这些特性使其成为USB供电、电池供电系统、移动外设电源管理等应用的理想选择。
　　DSHP08TSGET的工作电压范围宽广，通常支持从2.7V至5.5V的输入电压，能够兼容3.3V和5V系统。每个通道可通过独立的使能引脚进行控制，允许灵活地实现多路电源时序管理。器件采用10引脚WDFN封装，尺寸紧凑，适合空间受限的设计环境。

参数

型号：DSHP08TSGET
　　制造商：Diodes Incorporated
　　通道数：2
　　输入电压范围：2.7V ~ 5.5V
　　最大持续输出电流（每通道）：3A
　　导通电阻（RDS(on)，典型值）：24mΩ（上管），18mΩ（下管）
　　关断电流（典型值）：1μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：10-WDFN（3mm x 3mm）
　　集成电荷泵：是
　　软启动时间：约5ms（典型值）
　　保护功能：过流保护、过温保护、短路保护

特性

DSHP08TSGET具备多项关键特性，使其在同类功率开关产品中脱颖而出。首先，其内置电荷泵设计无需外部高侧驱动电源即可实现N沟道MOSFET的完全增强模式操作，显著降低了外围元件数量和PCB布局复杂度。相比P沟道MOSFET方案，N沟道MOSFET具有更低的导通电阻和更高的效率，尤其在大电流应用场景下优势明显。
　　其次，该器件提供精确的逐通道过流保护机制，利用内部检测电阻监测输出电流，当超过预设阈值时迅速切断对应通道，防止因短路或过载导致系统故障。过温保护功能则通过片上温度传感器实时监控芯片结温，一旦达到安全限值（通常约为150°C），立即关闭所有输出通道，并在温度下降后自动恢复或需重新使能，具体行为取决于设计配置。
　　软启动功能通过内部定时电路控制输出电压的上升速率，有效抑制上电瞬间的电容性负载引起的浪涌电流，提升系统稳定性。这对于连接大容量滤波电容的模块如Wi-Fi模组、显示屏背光驱动等尤为重要。此外，独立的使能引脚允许用户对每个通道进行精细控制，支持电源排序、分步上电等高级电源管理策略。
　　该芯片还优化了静态功耗表现，在关断状态下漏电流极低，非常适合电池供电设备以延长待机时间。其WDFN封装具有优良的散热性能，配合适当的PCB铜箔设计可有效传导热量，确保长时间高负载运行下的可靠性。整体而言，DSHP08TSGET在集成度、效率、保护能力和封装尺寸之间实现了良好平衡，满足现代电子系统对小型化与高可靠性的双重需求。

应用

DSHP08TSGET广泛应用于各类需要高效、受控电源分配的电子系统中。典型应用包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，用于管理不同子系统的电源通断，例如摄像头模组、触摸屏控制器或蓝牙/Wi-Fi射频单元的供电控制。
　　在工业与嵌入式系统领域，该器件可用于实现多电压域的电源管理，配合MCU或处理器完成上电时序控制，确保核心逻辑先于外设加电，避免闩锁效应或数据总线冲突。它也常见于USB供电设备（如USB集线器、移动硬盘盒）中作为端口电源开关，符合USB规范对电流限制和热插拔支持的要求。
　　此外，DSHP08TSGET适用于各种电池供电的物联网终端设备，如传感器节点、可穿戴健康监测设备等，这些应用对功耗敏感且要求长期稳定运行。其低静态电流和多重保护机制有助于提升系统安全性与续航能力。
　　在测试测量仪器和自动化控制系统中，该芯片可用于构建可编程电源开关阵列，实现远程控制各模块的启停，便于系统调试与节能管理。由于其具备良好的EMI性能和快速响应能力，也可用于精密模拟前端供电管理，减少电源噪声对信号链的影响。总之，凡涉及多路低压直流电源切换、需要集成保护功能和紧凑尺寸的场合，DSHP08TSGET均是一个高度可靠且易于使用的解决方案。