类型：碳化硅肖特基二极管
　　配置：双路共阴极
　　最大正向电流（IF）：26A
　　最大反向电压（VR）：1000V
　　正向压降（VF）：约1.5V（在26A条件下）
　　反向漏电流（IR）：典型值为几微安
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-247或其他类似高功率封装

DSEI261-10B的最大优势在于其碳化硅材料所带来的卓越性能。与传统的硅基二极管相比，该器件在高频操作下表现出更低的开关损耗和更高的热稳定性。由于其无反向恢复特性，可以显著减少电路中的开关损耗，从而提高整体系统效率。
　　此外，DSEI261-10B具备较高的耐温能力，使其在高温环境下依然能保持稳定运行，适用于紧凑型散热设计的应用场景。器件的封装设计也优化了热管理和电气性能，确保在高电流和高压条件下仍能可靠工作。
　　另一个显著优点是其简化了电路设计，由于没有反向恢复电流，减少了电磁干扰（EMI），从而降低了对额外滤波元件的需求。这种特性使得DSEI261-10B非常适合用于高频变换器和整流器应用。

DSEI261-10B广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。典型应用包括：
　　? 太阳能逆变器中的直流-交流转换模块
　　? 电动车充电系统中的整流电路
　　? 高频DC/DC变换器和功率因数校正（PFC）电路
　　? 工业电源和UPS系统
　　? 电机驱动和变频器系统
　　由于其优越的性能，该器件也适用于需要紧凑设计和高效散热的模块化电源系统。

DSEI261-10B的替代型号包括CREE/Wolfspeed的C3D0260A、C2D0260A，以及STMicroelectronics的STPSC20H12CG等碳化硅肖特基二极管模块。这些型号在额定电压和电流方面相近，适用于类似的高功率应用场合。