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DSDI51-14A 发布时间 时间:2025/8/5 16:40:06 查看 阅读:32

DSDI51-14A 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,主要用于高功率电子设备中。该模块集成了多个 IGBT 和反向并联的二极管,具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性。DSDI51-14A 常用于电机驱动、工业变频器、UPS(不间断电源)和逆变器等应用场景。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):1400V
  最大集电极电流(Ic):50A
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装形式:双列直插式封装(DIP)
  内部结构:包含6个IGBT和6个反向并联二极管
  短路耐受能力:具备
  热阻(Rth):典型值为0.35K/W
  绝缘等级:符合IEC 60176-1标准
  输入电容(Cies):典型值为2200pF

特性

DSDI51-14A IGBT模块具备一系列优良的电气和机械特性。首先,其高耐压能力(1400V)使其适用于高压系统中,同时最大集电极电流可达50A,能够处理较大的功率负载,适用于高功率密度设计。模块内部集成了6个IGBT和6个反向并联的二极管,构成三相桥式结构,非常适合用于三相逆变器和电机控制应用。
  该模块具有较低的热阻(0.35K/W),能够在高负载下有效散热,确保稳定运行。此外,DSDI51-14A采用了先进的芯片封装技术,提高了模块的可靠性和长期稳定性,能够在-40°C至+150°C的宽温度范围内工作,适应各种严苛的工业环境。
  在电气特性方面,DSDI51-14A具备良好的短路耐受能力,可以在短时间的短路条件下保持不损坏,从而提高系统的安全性。模块的输入电容较低(2200pF),有助于减少开关损耗,提高系统的效率和响应速度。此外,其封装形式为双列直插式封装(DIP),便于安装和维护,适用于自动化生产线和模块化设计。
  综合来看,DSDI51-14A是一款性能优异、可靠性高的IGBT模块,广泛适用于多种高功率应用场合。

应用

DSDI51-14A IGBT模块主要应用于需要高功率转换和控制的工业领域。常见的应用包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、逆变器以及电能质量调节设备。在电机控制应用中,DSDI51-14A可以作为三相逆变桥的核心元件,实现高效的交流电机变频调速控制。在UPS系统中,该模块可用于直流-交流逆变部分,确保电力中断时的无缝供电切换。此外,DSDI51-14A还广泛应用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统,以实现高效的电能转换和管理。由于其高可靠性和优异的热性能,DSDI51-14A也适用于需要长时间运行的工业自动化设备和电力电子系统。

替代型号

SGW40N140G2, FS50R14W2Y3_B25, FF50R14W2Y3_B25

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