DSDI35-11A 是一款由东芝(Toshiba)推出的绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变器、电源转换设备以及电动车辆系统等领域。该器件采用高性能硅芯片技术,具备低导通压降和快速开关特性,能够有效提升系统的整体效率和可靠性。DSDI35-11A 的封装设计便于安装和散热,适合高功率密度应用场景。
集电极-发射极电压(VCES):1200V
集电极电流(IC):35A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
短路耐受能力:5μs @ 150°C
栅极驱动电压:±15V(推荐)
导通压降(VCE_sat):约2.1V(典型值)
最大工作频率:20kHz
DSDI35-11A IGBT模块具有多项先进的技术特性,首先其1200V的额定电压使其适用于多种高压应用环境。模块的集电极电流额定值为35A,能够在中高功率系统中稳定运行。该模块的导通压降较低,通常约为2.1V,这有助于降低导通损耗,提高整体效率。
此外,DSDI35-11A具备较强的短路耐受能力,能在150°C下承受5μs的短路电流,从而增强系统在异常情况下的稳定性。其最大工作频率可达20kHz,适用于需要高频开关的应用场合,如伺服驱动器和UPS系统。
DSDI35-11A广泛应用于多个工业和电力电子领域,包括交流伺服驱动器、变频器、不间断电源(UPS)、感应加热设备、工业自动化控制系统以及电动汽车充电设备等。在伺服驱动器中,该模块可用于实现高效能的电机控制,提供精确的速度和位置调节。在变频器中,它能有效提升系统的能效和响应速度。对于UPS系统,DSDI35-11A的高频开关能力和短路保护特性可确保电源切换的平稳与安全。此外,该模块也适用于需要高可靠性和高效率的新能源应用,如太阳能逆变器和储能系统。
SKM30GB12T4AgBL, FGL40N120AND, DSDI35-12A