DSA10C150UC-TUB是一款由Diodes Incorporated推出的双通道N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。该器件采用先进的Trench MOSFET技术,确保了低导通电阻(RDS(ON))和高功率密度,适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等应用场景。该MOSFET封装为TSOT23-6,便于表面贴装,适用于紧凑型设计。
类型:功率MOSFET
沟道类型:N沟道
漏源电压(VDS):100V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):10A
导通电阻(RDS(ON)):150mΩ(典型值)
封装类型:TSOT23-6
工作温度范围:-55°C至150°C
DSA10C150UC-TUB具备多项优异特性,包括低导通电阻(RDS(ON)),确保在高电流应用中减少功率损耗,提高系统效率。其采用的Trench MOSFET技术增强了器件的电流承载能力,并优化了热性能,使其在高温环境下依然保持稳定工作。
该器件的栅极氧化层经过优化设计,提供了良好的栅极稳定性,同时增强了抗静电能力,提高了器件的可靠性。此外,其封装形式TSOT23-6不仅体积小巧,而且具有良好的散热性能,适用于空间受限的设计。
在热管理方面,DSA10C150UC-TUB具备较低的热阻,确保在高负载情况下仍能有效散热,延长器件使用寿命。其工作温度范围为-55°C至150°C,适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。
DSA10C150UC-TUB主要应用于电源管理系统,包括DC-DC转换器、负载开关、电源分配系统等。其高效率和高可靠性使其成为便携式电子产品、工业控制系统、通信设备和汽车电子系统的理想选择。
在便携式设备中,如笔记本电脑、平板电脑和智能手机,该器件可用于电池管理系统中的负载开关,以提高能效和延长电池寿命。在工业控制领域,它可用于PLC模块、传感器电源管理及电机控制电路。
此外,该MOSFET还可用于服务器电源、电信设备及LED照明系统中,作为高效的功率开关元件。由于其具备优异的热性能和稳定的工作特性,该器件也适用于高可靠性要求的汽车电子系统,如车载充电系统、车载娱乐系统及电动助力转向系统。
Si2302DS, FDS6675, IRF7404, AO4406