类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：50V
　　连续漏极电流（ID）：1.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：7A
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.19Ω @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.23Ω @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：360pF @ VDS=25V
　　开关时间（开启）：15ns
　　开关时间（关闭）：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

DSA-501MA具备优异的电气特性和热性能，能够满足多种中低压开关应用的需求。其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率，尤其是在电池供电设备中尤为重要。该器件在VGS=4.5V时仍能保持较低的RDS(on)，说明其具有良好的低电压驱动能力，能够与微控制器或逻辑门电路直接接口而无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。
　　该MOSFET采用先进的硅工艺制造，确保了器件的一致性和长期可靠性。其快速的开关响应时间（开启约15ns，关闭约25ns）使其适用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和同步整流电路，有助于减小外围滤波元件的尺寸，提升功率密度。输入电容仅为360pF，在高频工作条件下可降低驱动电路的功耗，提高能效。
　　热稳定性方面，DSA-501MA的最大工作结温可达+150°C，并内置热关断保护机制，当芯片温度过高时自动限制电流，防止永久性损坏。这种自我保护特性提升了系统在异常工况下的安全性。此外，器件具备较强的抗静电能力，HBM模型下的ESD耐压可达2kV以上，增强了在生产和使用过程中的鲁棒性。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，还具有良好的散热性能，通过PCB布局优化可有效将热量传导至地平面，进一步提升功率处理能力。该封装符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色电子产品设计。总体而言，DSA-501MA凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多嵌入式和电源管理系统中的理想选择。

DSA-501MA广泛应用于各类中低功率电子系统中。常见用途包括便携式设备中的电源开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电池管理电路，用于控制电池充放电路径或负载切换。在LED照明系统中，它可用于恒流驱动或PWM调光控制，实现高效节能的光源管理。
　　在DC-DC转换器拓扑结构中，如降压（Buck）、升压（Boost）或反激式变换器中，DSA-501MA可作为主开关或同步整流开关使用，提升转换效率并减少发热。其快速开关特性特别适合高频操作环境，有助于缩小电感和电容的体积，实现紧凑型电源设计。
　　此外，该器件也常用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端开关，实现正反转控制和制动功能。在工业控制和自动化设备中，可用于继电器驱动、电磁阀控制或传感器电源管理模块。
　　由于其逻辑电平兼容性和小封装优势，DSA-501MA也被广泛应用于各种消费类电子产品，如家用电器、智能插座、USB充电器和无线充电模块中，作为负载开关或过流保护元件。其高可靠性和批量一致性使其成为OEM厂商优选的通用型MOSFET之一。

DMG2302UK-7
　　FDD390P
　　AO3400