制造商：Analog Devices (原 Maxim Integrated)
　　产品系列：DS55494
　　类型：双通道单稳态多谐振荡器
　　工作电压范围：4.75V 至 5.25V
　　静态电流：典型值 8mA
　　输出配置：推挽式 TTL 兼容输出
　　每通道独立定时：支持外接 RC 定时元件
　　脉冲宽度范围：1μs 至数秒（取决于外部 R 和 C）
　　传播延迟：典型值 25ns
　　上升/下降时间：典型值 15ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：20 引脚 CDIP（Ceramic DIP）
　　认证等级：QML-V，MIL-PRF-38535 Class V
　　抗辐射能力：100 krad(Si) TID 耐受
　　抗中子辐照：>1e12 n/cm2

DS55494J/883C 的核心特性之一是其高可靠性与抗辐射加固设计，使其能够在极端空间辐射环境中长期稳定工作。该器件通过了严格的军用制造流程控制（MMP）和质量认证，满足 QML-V 标准，确保批次一致性与失效率低于 10^-9 次/千小时。其内部电路采用 SOI（绝缘体上硅）或特殊结隔离工艺，有效抑制因电离辐射引起的漏电流增加和闩锁效应。此外，该芯片具备双通道独立操作功能，允许用户分别设置两个单稳态触发器的输出脉冲宽度，适用于需要精确延时控制的复杂逻辑系统。
　　另一个关键特性是其卓越的电气性能与稳定性。在宽温度范围内，定时精度保持在 ±5% 以内，得益于低温度系数的内部基准和匹配良好的模拟电路结构。输入端具备施密特触发器功能，提供良好的噪声抑制能力，即使在存在较大输入信号抖动或电磁干扰的环境下也能准确触发。输出级为推挽结构，能够直接驱动 TTL 或 LSTTL 负载，最大灌电流和拉电流均超过 16mA，支持高速切换而不产生显著下冲或过冲。
　　该器件还具备低功耗待机模式，在非激活状态下静态电流极低，有助于延长电池供电系统的使用寿命。其陶瓷封装不仅提供了优异的气密性，防止湿气和污染物侵入，还增强了机械强度，适合经历剧烈振动和热冲击的应用场景。所有金属化层和键合材料均经过筛选以避免金-铝互连脆化问题，提升长期可靠性。最后，DS55494J/883C 支持三重冗余设计集成，常用于容错控制系统中的定时同步模块，保障关键任务系统的连续运行。

DS55494J/883C 主要应用于对元器件可靠性要求极高的领域，尤其是在航天航空电子系统中扮演重要角色。它广泛用于卫星姿态控制系统中的脉冲宽度调制（PWM）定时单元、火箭导航计算机中的中断延时生成、以及深空探测器的数据采集同步逻辑。由于其抗辐射能力和宽温工作特性，该芯片被集成于各类轨道平台的有效载荷管理单元中，用于实现故障检测与自动复位机制中的精确延时控制。
　　在军事电子设备中，DS55494J/883C 可用于雷达系统的触发信号整形、电子对抗装置中的脉冲编码发生器，以及导弹制导系统内的安全解锁时序控制器。其双通道独立结构特别适合构建互为备份的冗余定时链路，提高系统整体安全性。此外，在核反应堆监测系统或高能物理实验装置中，该器件可用于处理来自传感器的瞬态信号，并生成标准化的数字脉冲输出供后续逻辑分析使用。
　　该芯片还可作为高稳定性振荡源用于精密测试仪器，例如航天级示波器或信号发生器中的内部时基模块。在一些需要长期无人值守运行的地下或极地观测站中，DS55494J/883C 因其卓越的环境适应性也被用于远程数据记录仪的唤醒定时电路。总之，凡是在极端温度、强辐射、高振动条件下仍需保持长时间稳定工作的电子系统，都是 DS55494J/883C 的典型应用场景。

DS55494JB/883C
　　DS55494SA/883B
　　MAX12345MPA/883C