DS26LS32ME/883 时间：2025/5/7 12:45:00 阅读：10

DS26LS32ME/883 是一种高性能、高可靠性的军用级四路双输入与非门（NAND Gate）集成电路。该芯片专为恶劣环境下的关键任务应用设计，具有优异的抗辐射能力以及宽温度范围工作特性。基于 NMOS 技术制造，适用于需要高稳定性和长期可靠性的系统，例如航空电子设备、卫星通信和军事控制领域。
　　该器件符合 MIL-PRF-38534 标准，确保其在极端温度、振动和辐射条件下的性能表现。

参数

逻辑功能：四路双输入与非门
　　工艺技术：NMOS
　　工作电压范围：4.5V 至 5.5V
　　传播延迟时间：最大 10ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：陶瓷 DIP 或扁平封装
　　引脚数量：14
　　静态电流：最大 20mA
　　输出电流（高电平/低电平）：+8mA / -16mA

特性

1. 军用级可靠性，满足 MIL-STD-883 和其他相关军标要求。
　　2. 极宽的工作温度范围（-55°C 至 +125°C），适合极端环境使用。
　　3. 抗辐射加固设计，能够在高辐射环境下保持正常工作。
　　4. 快速传播延迟时间（最大 10ns），提供高效的逻辑处理速度。
　　5. 高驱动能力，能够直接驱动多个负载或下一级逻辑电路。
　　6. 紧凑型陶瓷封装，具有良好的热传导和电气绝缘性能。
　　7. 静态功耗低，有助于降低系统的整体能耗。
　　8. 可靠的电气保护机制，防止静电放电（ESD）和瞬态电压冲击对芯片造成损害。

应用

1. 航空航天器中的数据处理和控制单元。
　　2. 卫星通信系统中的信号处理模块。
　　3. 军事装备中的嵌入式处理器及控制系统。
　　4. 工业自动化设备中的高可靠性逻辑电路。
　　5. 核电站等高辐射环境中的监控与控制装置。
　　6. 医疗成像设备中的高速数据传输与处理部分。
　　7. 地震探测仪器和其他恶劣条件下工作的科学测量设备。