时间：2025/5/12 10:43:13
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DS1746W-070IND+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）。该器件将高速 SRAM 和非易失性铁电存储器（FRAM）结合在一起，能够在系统掉电时自动保存 SRAM 中的数据到 FRAM 中，从而确保数据的完整性。其典型应用场景包括需要频繁写入且要求数据长期保存的工业、医疗和计量设备。
DS1746W-070IND+ 具有 512K x 8 的存储容量，并采用 SOIC 封装形式，工作电压范围为 3.0V 至 3.6V，适合低功耗应用环境。
存储容量：512K x 8位
接口类型：并行
工作电压：3.0V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：SOIC
数据保持时间：超过10年
写入周期：无限制
访问时间：70ns
DS1746W-070IND+ 的主要特点是集成了非易失性存储功能和高速 SRAM 访问性能。在正常操作下，用户可以像使用普通 SRAM 一样进行快速读写操作。当检测到电源即将中断时，内置电路会自动将 SRAM 数据复制到非易失性 FRAM 存储器中，无需外部电池支持。这种设计使得它非常适合需要频繁更新数据且要求断电后数据不丢失的应用场景。
此外，该芯片具有极高的耐久性和可靠性，FRAM 部分的写入周期几乎是无限的，因此不会因频繁写入而导致存储单元失效。同时，其低功耗特性和宽泛的工作温度范围使其成为工业级和嵌入式系统的理想选择。
其他关键特性包括：
- 自动数据保护机制
- 快速访问时间
- 不需要后备电池
- 高可靠性与长寿命
- 符合 RoHS 标准
DS1746W-070IND+ 广泛应用于对数据可靠性和实时性要求较高的领域。典型应用包括：
- 工业控制中的数据记录与配置存储
- 医疗设备中的患者数据存储
- 仪表设备中的校准参数和测量数据保存
- 网络通信设备中的状态信息缓存
- 嵌入式系统中的日志记录功能
由于其高可靠性和快速响应能力，该芯片特别适合需要频繁写入数据但又不能接受数据丢失风险的场合。
DS1746B-070IND+, DS1746C-070IND+, DS1746W-070JND+
