DS1744W+120 时间：2025/11/13 20:10:31 阅读：23

DS1744W+120是一款由Maxim Integrated（现为Analog Devices, Inc.的一部分）生产的非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）模块，集成了实时时钟（RTC）、SRAM存储器、电源监控电路以及自动存储和恢复功能。该器件的主要特点是将高可靠性的时间保持功能与快速的SRAM读写性能相结合，并在系统断电时自动将SRAM中的数据保存到内部非易失性存储阵列中，确保关键数据不会丢失。DS1744W+120广泛应用于需要持续时间记录和数据保护的工业控制、通信设备、医疗仪器及嵌入式系统中。该器件采用标准的并行接口，兼容通用的SRAM时序，便于系统集成。内置的锂电池在主电源失效时能够维持RTC运行和SRAM数据保存，典型电池寿命可达10年以上。此外，器件封装集成了所有必要组件，包括晶体振荡器和备用电池，形成一个完整的模块化解决方案，简化了PCB设计和生产流程。
　　DS1744W+120的工作电压范围通常为4.5V至5.5V，适用于标准5V系统环境。其内部RTC提供秒、分、小时、日期、月份和年份信息，并具备闰年补偿功能，确保长期时间精度。通过专用寄存器可配置中断输出、周期性报警等功能。NV存储操作完全由内部逻辑控制，无需软件干预，极大提升了系统的可靠性和稳定性。

参数

型号：DS1744W+120
　　类型：NV SRAM模块
　　容量：8k x 8位（64Kb）
　　接口类型：并行接口
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C
　　时钟精度：±2分钟/月（典型值，25°C）
　　内置晶体：32.768kHz
　　备用电池类型：锂离子电池
　　数据保持时间（断电）：典型10年
　　访问时间：约70ns
　　封装形式：DIP-28（双列直插）
　　是否集成电池：是
　　是否集成晶体：是

特性

DS1744W+120的核心特性之一是其非易失性SRAM功能，能够在主电源掉电时自动将SRAM中的数据保存到内部非易失性存储器中。这一过程由片上电源监控电路触发，当检测到VCC下降至预设阈值以下时，器件会立即启动存储操作，将8KB的SRAM内容安全地复制到EEPROM-like的非易失性阵列中。整个存储过程无需外部微处理器干预，确保即使在突发断电情况下也能可靠保存数据。恢复供电后，器件会在VCC稳定后自动将数据从非易失性存储器恢复回SRAM，系统可继续正常运行，仿佛从未断电。这种“智能”数据保护机制极大地增强了系统的鲁棒性，特别适合用于金融终端、工业PLC、网络路由器等对数据完整性要求极高的应用场景。
　　另一个关键特性是其集成的实时时钟（RTC）功能。DS1744W+120内置高精度RTC，提供秒、分、小时、星期、日期、月份和年份信息，并支持闰年自动调整，有效避免因日期计算错误导致的系统异常。RTC由内部锂电池独立供电，在主电源断开后仍可持续运行，确保时间连续性。用户可通过并行接口访问RTC寄存器，设置当前时间或配置报警功能。报警功能支持按秒、分、小时等周期性触发，可用于任务调度、定时唤醒或事件记录。此外，RTC具有较高的时间精度，典型偏差小于±2分钟/月（在25°C环境下），满足大多数工业级应用需求。
　　该器件还具备高度集成的模块化设计，将SRAM、RTC、晶体振荡器、锂电池和控制逻辑全部封装在一个DIP-28模块内。这种一体化结构不仅节省了PCB空间，还简化了系统设计，避免了外部晶振布线和电池管理的复杂性。模块采用标准JEDEC DIP-28封装，可直接插入插座，方便更换和维护。同时，其并行接口与通用SRAM兼容，读写时序简单，易于与MCU、MPU或DSP连接，降低了开发难度和周期。此外，器件具备良好的抗干扰能力和宽温工作稳定性，适用于恶劣工业环境下的长期运行。

应用

DS1744W+120主要用于需要持久化时间记录和断电数据保护的应用场景。常见用途包括工业自动化控制系统，如PLC和HMI设备，其中需记录操作日志、故障时间和工艺参数；在通信基础设施中，如路由器、交换机和基站控制器，用于保存配置信息和系统事件时间戳；在医疗设备中，如监护仪和诊断仪器，用于追踪患者数据采集时间；在金融终端设备，如POS机和ATM中，用于交易日志的实时记录与断电保护；此外，也适用于测试测量仪器、电力监控装置和嵌入式数据采集系统等对数据完整性和时间同步有严格要求的领域。其模块化设计使其特别适合于需要快速部署和高可靠性的产品开发。