时间：2025/5/10 14:24:16
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DS16F95W/883 是一款基于 Dallas Semiconductor 公司设计的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM），结合了 SRAM 的快速读写性能和非易失性存储技术。该芯片通过内部锂电池供电，确保在外部电源中断时数据能够长期保存。
这款 NVSRAM 采用 CMOS 工艺制造，具有低功耗、高速访问时间以及高可靠性等优点。广泛应用于需要频繁读写且要求断电后数据不丢失的场景中。
类型：NVSRAM
容量：64K x 8 (65536 字节)
工作电压范围：4.5V 至 5.5V
访问时间：70ns（典型值）
数据保持时间：10 年（电池供电下）
封装形式：44 引脚 PLCC 或 44 引脚 PDIP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚兼容性：与标准 SRAM 接口兼容
DS16F95W/883 芯片内置高性能锂电池，保证数据在主电源失效后的完整性。它支持无限次读写操作，同时具备极高的数据可靠性和抗干扰能力。
其非易失性功能无需额外软件支持即可实现即时存储，避免因突然掉电导致的数据丢失问题。
此外，该器件还具有自动检测电源故障的功能，在检测到外部电源异常时会立即切换至内部电池供电模式以保护当前数据。
由于其独特的非易失性和高性能特点，DS16F95W/883 被广泛用于工业控制、医疗设备、通信系统、数据记录仪等领域。
例如，在工业自动化领域，可用于实时保存关键运行参数；在便携式医疗仪器中，可记录患者的生命体征信息；而在网络路由器或交换机等通信设备中，则作为配置文件或路由表的存储介质使用。
DS16F95W/882
DS16F95W/884
