容量：512Kb（64K x 8）
　　工作电压：3.3V至5.5V
　　数据保持电流：典型值1.5μA（在3.3V）
　　读写速度：最高访问时间120ns
　　工作温度范围：工业级-40°C至+85°C
　　封装形式：28引脚SOIC
　　内置锂电池：支持断电数据保持
　　实时时钟精度：±3分钟/月（在25°C）
　　数据保存时间：超过10年（典型值）

DS1556WP120具有多个关键特性，适用于对数据完整性要求较高的系统。其NV SRAM技术能够在断电情况下自动切换至内部锂电池供电，确保数据不丢失，适用于数据记录、日志存储等应用场景。芯片内置的实时时钟（RTC）支持年、月、日、时、分、秒的精确计时，并具备闰年补偿功能，提供高精度时间戳记录。
　　此外，DS1556WP120的宽电压范围（3.3V至5.5V）使其兼容多种电源设计，适用于嵌入式系统、工业控制器、医疗设备和智能电表等应用。其低功耗特性（数据保持电流仅1.5μA）有助于延长系统电池寿命。工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保在恶劣环境中仍能稳定运行。
　　该芯片采用标准的并行接口（8位数据总线），兼容SRAM接口时序，简化了系统集成和软件开发。其封装形式为28引脚SOIC，便于PCB布局和焊接。

DS1556WP120广泛应用于需要非易失性存储和实时时钟功能的系统中。例如，工业自动化控制设备中用于存储配置参数和操作日志；智能电表用于记录电能使用情况和时间戳；医疗仪器中用于保存患者数据和设备运行时间；安防系统用于记录事件发生时间和状态；数据采集系统用于长期存储关键数据而不依赖外部电源。此外，它还可用于嵌入式系统、POS终端和远程监测设备等。

DS1556Y-S、DS1556WV120、DS1743W、DS1744Y