DS1270Y-70IND+ 是 Maxim Integrated 生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM),结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术。该器件在正常操作期间作为 SRAM 使用,而在断电时通过内部的非易失性存储功能保存数据。它采用 SOIC 封装,具有工业级工作温度范围,并广泛应用于需要高可靠性和数据完整性的场景。
该芯片的主要特点是其内置的电池备份功能和快速写入速度,确保系统在意外断电时能够安全保存重要数据。
容量:32Kb
组织结构:4096 x 8
工作电压(Vcc):4.5V 至 5.5V
备用电压(Vbat):2.7V 至 3.6V
访问时间:70ns
数据保持时间:10年(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:SOIC-8
提供了一种高性能、低功耗的非易失性存储解决方案。它具有以下关键特性:
1. 高速 SRAM 操作,适合实时应用。
2. 内置非易失性存储单元,在电源中断时自动切换到电池供电模式以保存数据。
3. 快速写入周期,允许即时数据更新而无需等待写入完成。
4. 支持多种电源管理选项,包括主电源和备用电池的无缝切换。
5. 工业级工作温度范围,适用于恶劣环境下的应用。
6. 数据保持时间长达十年,确保长期可靠性。
7. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代设计中。
广泛用于需要高可靠性和数据完整性的领域,具体应用场景包括:
1. 工业控制设备,如 PLC 和 HMI 系统中的数据记录和配置存储。
2. 医疗设备,例如患者监护仪和诊断设备中的日志存储。
3. 通信基础设施,如路由器和交换机中的运行状态保存。
4. 计量仪表,如智能电表和水表中的用电或用水量记录。
5. 嵌入式系统,用于保存关键设置或临时数据。
6. 金融终端,例如 ATM 和 POS 机中的交易数据缓存。
DS1270Y-50IN+
DS1270Y-70IN+
DS1270Y-50IND+