DS1250W 时间：2025/7/25 1:57:12 阅读：8

DS1250W是一种由Maxim Integrated（原Dallas Semiconductor）制造的非易失性静态随机存取存储器（NVSRAM）芯片。该芯片结合了SRAM和EEPROM技术，提供高速存储访问和非易失性数据存储能力。DS1250W内部集成了锂电池供电电路，可在断电情况下保持数据不丢失。该芯片广泛应用于需要高可靠性和断电数据保护的系统中，例如工业控制、数据采集、网络设备和智能仪表。

参数

容量：8K x 8 位（64Kbit）
　　工作电压：4.75V 至 5.25V
　　访问时间：最大 200ns（读取）
　　封装类型：28引脚 DIP 或 SOIC
　　数据保持电流：典型值 50nA（在 +75°C 下）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　写保护功能：通过 VCC 电压检测自动写保护
　　数据保存时间：最少 10 年（在 VBACKUP 引脚连接电池时）

特性

DS1250W 的核心特性是其非易失性SRAM结构，能够在主电源断电时自动切换到内部锂电池供电，以保持SRAM中的数据不丢失。芯片内部集成了电源切换电路、EEPROM控制器和锂电池充电电路，确保在电源故障时数据不会丢失。此外，DS1250W具备高速访问能力，访问时间最快可达200ns，适合需要频繁读写的应用场景。其内置的写保护机制可在电源电压下降至设定阈值以下时自动锁定写操作，防止数据损坏或误写入。芯片还支持标准的并行接口，兼容大多数微控制器和嵌入式系统的连接要求，便于系统集成。

应用

DS1250W常用于需要高可靠性和断电数据保护的系统中。例如，在工业自动化控制设备中，用于存储关键运行参数和状态信息；在网络设备中，用于缓存配置信息和日志数据；在测试与测量仪器中，用于记录实验数据和校准信息；在医疗设备中，用于保存患者数据和设备设置。此外，它还广泛应用于POS终端、智能电表、数据记录仪等嵌入式系统中。