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DS1250W-100IND+ 发布时间 时间:2025/5/14 17:27:11 查看 阅读:3

DS1250W-100IND+ 是一款由 Maxim Integrated 生产的模拟开关,属于 DS1250 系列。该器件具有低导通电阻(Ron)和低电荷注入特性,非常适合用于高速信号切换和精密模拟信号处理应用。该芯片支持单刀双掷(SPDT)功能,采用微型封装设计,适用于空间受限的设计场景。
  DS1250W-100IND+ 提供出色的线性性能和宽广的工作电压范围,可确保在多种环境下保持稳定的信号切换能力。

参数

工作电压:±4.5V 至 ±18V
  导通电阻(Ron):最大 15Ω
  带宽:30MHz
  电荷注入:±0.6pC
  输入电容:5pF
  封装类型:SOT-23
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

DS1250W-100IND+ 的主要特点是其具备极低的导通电阻,这使得它适合用于需要高精度的模拟信号切换场合。此外,其低电荷注入特性能够减少开关瞬态对敏感信号的影响。
  该器件支持双向信号传输,能够在正负电源电压范围内稳定运行。其小型 SOT-23 封装设计节省了电路板空间,同时保证了良好的热性能和电气性能。
  DS1250W-100IND+ 还具有较快的开关速度,能够在高频条件下实现可靠的操作。

应用

DS1250W-100IND+ 广泛应用于医疗设备、通信系统、音频信号处理、工业控制以及测试测量仪器等领域。具体应用包括:
  - 医疗成像设备中的信号路由
  - 音频系统的静音控制
  - 数据采集系统中的多路复用
  - 测试测量设备中的信号隔离
  - 工业自动化系统中的传感器切换

替代型号

DS1250W-100+, MAX4777, ADG619

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DS1250W-100IND+参数

  • 产品培训模块Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 标准包装11
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存储容量4M (512K x 8)
  • 速度100ns
  • 接口并联
  • 电源电压3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳32-DIP 模块(0.600",15.24mm)
  • 供应商设备封装32-EDIP
  • 包装管件