时间：2025/9/3 23:01:16
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DS1250AB是一款由Maxim Integrated（美信）公司生产的低功耗、非易失性静态随机存取存储器（NV SRAM）芯片。该芯片结合了SRAM和锂电池供电技术，确保在系统断电时数据不会丢失，适用于需要数据保持功能的应用场景。DS1250AB采用28引脚DIP封装，具有宽温度范围，适用于工业级和商业级应用。
类型：NV SRAM
容量：8K x 8位（64Kbit）
访问时间：200ns
工作电压：4.75V至5.25V
电流消耗（典型值）：150mA（读/写），10μA（休眠模式）
数据保持电流：典型值为10μA
工作温度范围：0°C至+70°C（商业级）
封装类型：28引脚DIP
DS1250AB的核心特性在于其非易失性存储能力。该芯片内部集成了一个锂电池，当外部电源断开时，芯片自动切换到电池供电，从而保持SRAM中的数据不丢失。此外，DS1250AB无需外部控制电路来管理电源切换，简化了系统设计。
其高速访问时间（200ns）使得该芯片适用于需要快速数据读写的应用场景。同时，该芯片在正常工作模式下的功耗较低，并且在休眠模式下功耗极低，有助于延长电池寿命。
在数据保持方面，DS1250AB能够确保数据在断电情况下保持多年，通常可达10年以上，具体取决于电池容量和使用条件。此外，该芯片具备高可靠性和抗干扰能力，适合工业环境中的关键数据存储。
DS1250AB广泛应用于需要非易失性高速存储的场合，例如工业控制系统、数据采集设备、智能仪表、嵌入式系统、医疗设备以及需要长时间数据记录的系统。此外，它也常用于替代EEPROM或Flash存储器，以提高写入速度和写入寿命。
DS1250YB, DS1250PA, DS1250P, DS1250YA, DS1250BP
