DS1250AB是一款由Maxim Integrated(美信)公司生产的低功耗、非易失性静态随机存取存储器(NV SRAM)芯片。该芯片结合了SRAM和锂电池供电技术,确保在系统断电时数据不会丢失,适用于需要数据保持功能的应用场景。DS1250AB采用28引脚DIP封装,具有宽温度范围,适用于工业级和商业级应用。
类型:NV SRAM
容量:8K x 8位(64Kbit)
访问时间:200ns
工作电压:4.75V至5.25V
电流消耗(典型值):150mA(读/写),10μA(休眠模式)
数据保持电流:典型值为10μA
工作温度范围:0°C至+70°C(商业级)
封装类型:28引脚DIP
DS1250AB的核心特性在于其非易失性存储能力。该芯片内部集成了一个锂电池,当外部电源断开时,芯片自动切换到电池供电,从而保持SRAM中的数据不丢失。此外,DS1250AB无需外部控制电路来管理电源切换,简化了系统设计。
其高速访问时间(200ns)使得该芯片适用于需要快速数据读写的应用场景。同时,该芯片在正常工作模式下的功耗较低,并且在休眠模式下功耗极低,有助于延长电池寿命。
在数据保持方面,DS1250AB能够确保数据在断电情况下保持多年,通常可达10年以上,具体取决于电池容量和使用条件。此外,该芯片具备高可靠性和抗干扰能力,适合工业环境中的关键数据存储。
DS1250AB广泛应用于需要非易失性高速存储的场合,例如工业控制系统、数据采集设备、智能仪表、嵌入式系统、医疗设备以及需要长时间数据记录的系统。此外,它也常用于替代EEPROM或Flash存储器,以提高写入速度和写入寿命。
DS1250YB, DS1250PA, DS1250P, DS1250YA, DS1250BP