时间：2025/5/23 8:59:05
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DS1249Y-100IND+ 是 Maxim Integrated 公司生产的一款非易失性静态随机存取存储器 (NVSRAM)，它结合了高速 SRAM 和非易失性存储功能，能够在系统断电时自动将 SRAM 数据保存到非易失性存储单元中。
这种特性使得 DS1249Y-100IND+ 成为需要高可靠性和快速数据访问的工业、医疗和通信应用的理想选择。其非易失性数据保护通过内置电容器实现，在外部电源中断时提供足够的能量来保存数据。
容量：512Kb（64K x 8）
接口：并行
工作电压：3V 至 5.5V
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：44 引脚 TSOP II
数据保持时间：10年（典型值）
写入/读取周期：70ns
待机电流：2μA（最大值，典型值 1μA）
工作电流：25mA（最大值）
DS1249Y-100IND+ 提供高性能的 SRAM 存储能力，并具备非易失性存储的优势。
1. 高速性能：该芯片支持 70ns 的访问速度，适合对延迟敏感的应用场景。
2. 自动数据保护：当检测到电源故障时，内置电路会自动将 SRAM 中的数据转移到非易失性存储单元，无需软件干预。
3. 内置电容：不需要外部电池支持，简化了设计并提高了可靠性。
4. 宽工作电压范围：兼容 3V 和 5V 系统，适应性强。
5. 耐用性：具有超过 10 年的数据保留能力和超过 1 百万次的擦写周期，确保长期使用。
6. 小型封装：采用 44 引脚 TSOP II 封装，节省 PCB 空间。
DS1249Y-100IND+ 适用于需要在掉电情况下保护关键数据的应用领域。
1. 工业自动化：如 PLC 和 HMI 设备中的配置数据和运行状态记录。
2. 医疗设备：例如监护仪和诊断仪器的患者数据存储。
3. 通信设备：用于网络路由器和交换机的关键配置参数保存。
4. 测量仪器：如数据采集系统和测试设备中的校准数据和测量结果存储。
5. 汽车电子：可用于事件数据记录器（EDR）以保存事故前后的车辆状态信息。
DS1248Y-100IND+, CY14B104Q, FRAM MB85RC64TA
