DS1248Y-100IND+ 是 Maxim Integrated 生产的一种非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),它结合了高速 SRAM 和非易失性存储技术,能够在断电时保留数据。该器件具有快速写入、低功耗和高可靠性的特点,广泛应用于需要频繁数据记录和断电保护的场景。
DS1248Y-100IND+ 内部集成了一个锂薄片电池作为后备电源,在主电源中断时能够确保数据完整保存。此外,它支持标准的同步 SRAM 接口,方便与各种微控制器和处理器连接。
容量:512Kb(64K x 8)
工作电压:3.3V 或 5V
数据保持时间:10 年(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装形式:44 引脚 TSOP-II
访问时间:70ns
备份电池类型:锂薄片电池
DS1248Y-100IND+ 具有以下显著特性:
1. 非易失性存储功能:通过集成的锂薄片电池,在主电源失效时能够自动切换到后备电源以保护数据。
2. 高速性能:支持标准同步 SRAM 接口,访问时间低至 70ns,满足实时应用需求。
3. 长寿命设计:内部电池提供长达 10 年的数据保持能力,适用于长期运行的系统。
4. 可靠性高:经过严格的测试和验证,能够在工业级温度范围内稳定工作。
5. 简化设计:无需外部 EEPROM 或闪存,减少了电路复杂度和成本。
6. 易于使用:兼容传统的 SRAM 接口协议,便于嵌入现有系统架构。
该芯片适合用于对数据安全性和可靠性要求较高的场景,包括但不限于以下领域:
1. 工业控制:如 PLC、DCS 系统中的参数配置和状态记录。
2. 仪表设备:电力、医疗、环境监测仪器中的关键数据存储。
3. 通信网络:路由器、交换机等网络设备的日志记录和设置保存。
4. 汽车电子:车载信息娱乐系统和诊断工具中的历史数据管理。
5. 安防监控:视频录像机和门禁系统中的事件记录功能。
6. 物联网终端:智能传感器节点的状态备份和运行日志。
DS1248Y-100GJC+, DS1248Y-100GKC+, DS1248Y-100TIC+